含缺陷一维光子晶体禁带特性一维光子晶体的折射率的变化是具有严格周期性的，它由两种或两种以上的介质层交替排列而成，形成了一定的周期性。正是这种周期性，使光子晶体出现了禁带。如果光的频率处于禁带频率范围内，当光通过光子晶体时会被禁止传播.如果在光子晶体中引入缺陷，禁带会发生什么样的变化?替代型缺陷的一维光子晶体掺杂型缺陷的一维光子晶体单缺陷一维光子晶体一维光子晶体中引入单缺陷层a ba b替代型单层缺陷c替代b层a层折射率大于b层折射率na=2.28，nb=1.28，nc=1.7N=15，中心波长600nm，na.ha=nb.hb=中心波长/4,nc.hc=中心波长/6。无缺陷含单层缺陷光子禁带中间出现了一条狭窄的分裂带，把禁带一分为二。这条分裂带的出现是由单层缺陷引起的，我们称这条分裂带为缺陷模，其底部所对应的波长为 701.4nm，反射率为0.53。a bc光子局域对于单层缺陷c，可以改变的参数有折射率、厚度和所处的位置。如果改变c层的参数，对一维光子晶体的禁带有什么样的影响？对缺陷模又有什么样的影响？缺陷层所处位置对光子禁带的影响abcN=15c的位置可位于N1-15单元的任一位置。
