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低温下GaN基LED发光机制分析LED的发展在20世纪最后十年间，半导体相关的材料技术、微芯片技术的快速发展使得LED照明技术的性能得到了大幅度的提升，在1994年日本科学家中村秀二通过在GaN基片上研发了一款蓝光半导体，这使得GaN技术在LED领域的应用走入了一个高点，GaN基端的LED产品能够实现高亮度、全色彩的发光需求。2014年4月1日在墨西哥，前贝尔实验室的研究员，GaNgleOptronix Ltd 首席技术官、博士Hyam基德，在加勒比海“设备，电路，和系统(ICCDCS2014)IEEE国际会议”上，宣读了一篇关于新型LED生产线的论文，发布了白光功率LED发光效率达到300lm/W。可见，半导体照明产业正向更高光效、更低成本、更多种类和更广泛应用方向发展。LED相关理论发光二极管原理 半导体二极管发光器件的主要组成结构是P-N结，是通过两端的电子注入而进行发光，半导体材料一般是采用带隙材料，本课题研究的GaN就是属于带隙材料。LED效率LED的效率包含的范围有量子效率、发光效率、光提取效率等。量子效率：量子效率是指LED在实际工作过程中，发光的电子由于内部吸收和损耗而
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