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1. 投资观点碳化硅相比硅基材料在增效节能方面更具优势，目前产业化受制于衬底产能不足；伴随 8 英寸衬底进入量产期和工艺良率持续提升，长期看有望在中高压应用领域实现对硅基材料的替代。碳化硅属于宽禁带半导体材料，带隙宽度、击穿电场强度、热导率、饱和电子漂移率明显优于硅基材料，可以极大提升碳化硅器件的耐压性、耐高温性、导电性和工作频率，同时大幅降低器件开关损耗，非常契合新能源汽车、光伏、智能电网等中高压领域对高频、高压、高功率半导体器件的需求。因此，碳化硅材料凭借其优异的物理性能应用领域广泛，但现阶段大规模产业化仍面临衬底产能供应不足和工艺良率较低等难题。我们认为，伴随头部企业 8 英寸大衬底在 2023-2024 年集中量产，以及晶体生长和切抛磨等工艺流程的技术的陆续突破，碳化硅成本降本提速后有望在中高压应用领域对硅基半导体形成替代。碳化硅以衬底和外延为核心环节，下游应用需求激增推动产能供给扩张，为切片设备投资带来广阔增量。现阶段，碳化硅产业链核心为衬底和外延环节，价值量占比分别为 46%、23%。衬底主要技术难点在于晶体生长和切割，为此行业存在多技术路线并存
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