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半导体器件物理PPT课件.ppt

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半导体器件物理PPT课件.ppt

第六章第六章薄膜晶体管（薄膜晶体管（TFT）主要内容主要内容（1）TFT的的发展展历程程（2）TFT的种的种类、结构及工作原理构及工作原理（3）p-si TFT的的电特性特性（4）p-si TFT的制的制备技技术（5）TFT的的应用前景用前景TFT的的发展展历程程（1）1934年第一个年第一个TFT的的发明明专利利问世世-设想想.（2）TFT的真正开始的真正开始-1962年，由年，由Weimer第一次第一次实现.特点：器件采用特点：器件采用顶栅结构，半构，半导体活性体活性层为CdS薄膜薄膜.栅介介质层为SiO,除除栅介介质层外都采用蒸外都采用蒸镀技技术.器件参数：跨器件参数：跨导gm=25 mA/V,载流子迁移率流子迁移率150 cm2/vs,最大振最大振荡频率率为20 MHz.CdSe-迁移率达迁移率达200 cm2/vsTFT与与MOSFET的的发明同步，然而明同步，然而TFT发展速度及展速度及应用用远不及不及MOSFET?!TFT的的发展展历程程（3）1962年，第一个年，第一个MOSFET实验室室实现.（4）1973年，年，实现第一个第一个CdSeTFT-LCD(6*6)显示