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电子材料与元器件的耐压和击穿试验本章目录v1.耐压与击穿试验的概念耐压与击穿试验的概念v2.影响耐压及击穿场强的因素影响耐压及击穿场强的因素v3.电极、试样和媒质的选择电极、试样和媒质的选择v4.耐压和击穿试验的设备和装置v5.局部放电的观测v6.用非破坏性试验推断抗电强度耐压与击穿试验的概念耐压与击穿试验的必要性介质击穿和气体击穿（通过空间和固体表面的飞弧）正常工作条件下发生击穿或放电条件：介质材料很薄，结构紧密，工作条件苛刻（低气压、高温）条件：生产工艺和材料上的缺陷（电阻刻槽边缘毛刺，介质含有电金属疵点）耐压试验和击穿试验三个定义击穿试验在一定条件下逐步增高施加于样品上的电压，直到样品发生击穿破坏为止。此时的电压称为击穿电压。Unp击穿试验通常在研制阶段进行，在定型生产时并不作。击穿场强在均匀电场下，发生击穿的电场强度。Enp描述材料的抗电性能。通常所用的是平均击穿场强耐压试验在一定条件下对样品施加一定电压，经受一定时间后，观察其是否发生击穿。击穿的种类不论出现何种击穿，首先关断电源！介质中的自由电子、离子，在强电场作用下碰撞中性原子、分子使之电离，产生大量正负离子；这些正负离子
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