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RF LDMOS 的发展状况和技术路线RF LDMOS的发展状况1969,Y.Tarui等提出了LDMOS1972,Sigg最先开发出应用于射频领域的LDMOS1976,Declerq和Plummer采用了横向双扩散和轻掺杂的方法做出高压大电流的LDMOS1980,T.O kabe等人研制出了可以在1.1GHz下连续波输出功率为22W、增益为8.5dB、漏极效率为51%LDMOS,这显示出LDMOS器件可以用在射频、微波功率领域上世纪80年代初,美国雷达开始应用了RF LDMOS器件上世纪90年代,RF LDMOS器件逐步进入商业领域1992,Isao Yo shida等人研制出了高效率的靠电池供电移动通信用的低压Mo栅LDMOS,其沟道长度为0.18 m,在1.5GHz下输出功率为2W,增益为8dB,漏极效达65%,功率附加效率为55%。1994,这个团队又研制出了在1.5GHz下连续波输出为35W,增益为13dB,漏极效率为50%的射频LDMOS功率器件。1996年,Motorola的Alan Wood等人研制出了在2GHz下连续波输出功率为60W,增益为11dB,漏极效率为44%
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