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第八章第八章 光刻与刻蚀工艺光刻与刻蚀工艺n光刻是集成电路工艺中的关键性技光刻是集成电路工艺中的关键性技术，由于光刻技术的不断更新，推术，由于光刻技术的不断更新，推动了动了ULSIULSI的高速发展。的高速发展。n19581958年，光刻技术的发明，研制年，光刻技术的发明，研制成功平面晶体管，推动了集成电成功平面晶体管，推动了集成电路的发明。路的发明。n由由19591959年集成电路发明至今的年集成电路发明至今的4040多年里，集成电路的集成度不断多年里，集成电路的集成度不断提高，器件的特征尺寸不断减小。提高，器件的特征尺寸不断减小。这个时期中，集成电路图形的线这个时期中，集成电路图形的线宽缩小了宽缩小了4 4个数量级，集成度提个数量级，集成度提高了高了6 6个数量级，这一切都归功个数量级，这一切都归功于光刻技术的进步。于光刻技术的进步。n光刻技术处于半导体制造技术的光刻技术处于半导体制造技术的核心，被认为是核心，被认为是ICIC制造中最关键制造中最关键的步骤。的步骤。光刻的目的光刻的目的n光刻的目的就是在二氧化硅或金光刻的目的就是在二氧化硅或金属薄膜上面刻蚀出与掩膜版完全属薄膜上面刻
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