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第第 11 章章 刻刻 蚀去胶去胶显影（第影（第 1 次次图形形转移）移）刻刻刻刻蚀蚀（第（第（第（第 2 2 次次次次图图形形形形转转移）移）移）移）选择曝光曝光微细加工-刻蚀 对对刻刻刻刻蚀蚀的要求的要求的要求的要求 1、适当的刻、适当的刻蚀速率速率 通常要求刻通常要求刻蚀速率速率为每分每分钟几十到几百几十到几百纳米。米。2、刻、刻蚀的均匀性好（片内、片的均匀性好（片内、片间、批次、批次间）刻刻蚀均匀性一般均匀性一般为 。大量硅片同。大量硅片同时刻刻蚀时，刻，刻蚀速速率会减小，率会减小，这称称为刻刻蚀的的 负载负载效效效效应应。3、选择比大比大 选择比指比指对不同材料的刻不同材料的刻蚀速率的比速率的比值。4、钻蚀小小 5、对硅片的硅片的损伤小小 6、安全、安全环保保 微细加工-刻蚀 钻蚀钻蚀（undercut）现象象 对刻刻蚀速率的各向异性的定量描述速率的各向异性的定量描述式中，式中，RL 和和 RV 分分别代表横向刻代表横向刻蚀速率和速率和纵向刻向刻蚀速率。速率。A=1 表示理想的各向异性，无表示理想的各向异性，无钻蚀；A=0 表示各向同性，表示各向同性，有有严重的重的钻蚀。微细
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