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n第第11章章 金属金属-氧化物氧化物-半导体场效应晶体管基础半导体场效应晶体管基础11.1 双端双端MOS结构结构n第第11章章 金属金属-氧化物氧化物-半导体场效应晶体管基础半导体场效应晶体管基础n能带图n第第11章章 金属金属-氧化物氧化物-半导体场效应晶体管基础半导体场效应晶体管基础多子积累:1)能带)能带(向上向上)弯曲并接近弯曲并接近EF;2)多子(空穴)在半导体表面积累,越接近半导体表面多子浓度越高。)多子(空穴)在半导体表面积累,越接近半导体表面多子浓度越高。图 11.4 p型衬底MOS电容器的能带图 (a)加负栅压n第第11章章 金属金属-氧化物氧化物-半导体场效应晶体管基础半导体场效应晶体管基础多子耗尽:多子耗尽:1)表面能带向下弯曲;2)表面上的多子浓度比体内少得多,基本上耗尽,表面带负电。图 11.4 p型衬底MOS电容器的能带图 (b)加小正栅压n第第11章章 金属金属-氧化物氧化物-半导体场效应晶体管基础半导体场效应晶体管基础少子反型:少子反型:1)Ei与EF在表面处相交(此处为本征型);2)表面区的少子数多子数表面反型;3)反型层和半导体内部之间还夹着一层
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