投投 资资 要要 点点PAGE 2诚信、专业、稳健、高效请阅读最后一页重要免责声明DRAM技技术术工工艺艺逐逐渐渐步入瓶步入瓶颈颈期期，3D DRAM应应运而生运而生随着摩尔定律推进速度放缓，DRAM技术工艺也逐渐步入瓶颈期。目前D R A M 芯片工艺已到10nm级别，尽管10nm还不是 D R A M 的最后极限，但多年来随着D R A M 制程节点不断缩小，工艺完整性、成本、电容器漏电和干扰等方面的挑战愈发明显，要在更小的空间内实现稳定的电荷存储和读写操作变得日益困难。3D N A N D Flash早已实现商业化应用，3D D R A M 技术尚在研发中，但随着AI浪潮，大容量、高性能存储器需求将大幅增加，3D D R A M 有望成为存储器市场的主流产品。存存储储巨巨头纷纷头纷纷布布局局3D DRAM技技术术，产业产业生生态态或迎或迎变变局局2024年3月，三星在加州举行的Memcon 2024会议上公布了其3D D R A M 开发路线图，并计划在2025年推出基于其垂直 通道晶体管技术的早期版本的3D D R A M。海力士在VLSI 2024会议上公布了其五层堆叠的3D
