1、第 4章 半导体中电子的状态4.1 电子的分布4.2 载流子的调节4.3 载流子的复合4.4 载流子的散射4.5 载流子的漂移4.6 载流子的扩散4.7 载流子的完整运动4.3 载流子的复合产生率 G Generation rate：单位时间和单位体积内所产生的电子 -空穴对数复合率 R Recombination rate：单位时间和单位体积内复合掉的电子 -空穴对数产生和复合相互伴随热平衡： 复合率 =热产生率非热平衡：存在净复合或净产生产生 =复合， 稳态载流子增或减外界能量恒定外界能量撤除产生 =复合， 热平衡一 . 非平衡少子的寿命外界条件撤除（如光照停止），经过一段时间后，系统才会
2、恢复到原来的热平衡状态。有的非子生存时间长、有的短。 非子的平均生存时间 非子的寿命 。单位时间内非子被复合掉的可能性 复合几率单位时间、单位体积净复合消失的电子 -空穴对（非子） 复合率光照刚停止，复合 产生 n、 p 复合 复合 =产生 （恢复热平衡）在 小注入 时， 与 P无关 （？），则设 t=0时， P(t)= P(0)= (P)0, 那么 C= (P)0，于是非平衡载流子的寿命主要与复合有关。t=0时，光照停止，非子浓度的减少率为二 .非平衡载流子的复合机制复合直接复合 (direct recombination):导带电子与价带空穴直接复合 .间接复合 (indirect rec
3、ombination):通过位于禁带中的杂质或缺陷能级的中间过渡。表面复合 (surface recombination)：在半导体表面发生的 复合过程。将能量给予其它载流子 ,增加它们的动能量。从释放能量的方法分 :Radiative recombination (辐射复合 )Non-radiative recombination (非辐射复合 )Auger recombination (俄歇复合 )direct/band-to-band recombination 非平衡载流子的直接净复合净复合率 =复合率 -产生率U=R-G G R三 .直接复合r-非平衡载流子寿命：小注入n型 材料大注入教材 p.162.第 16题indirect recombination半导体中的杂质和缺陷在禁带中形成一定的能级，它们有促进复合的作用。这些杂质和缺陷称为复合中心。nt： 复合中心能级上的电子浓度Nt： 复合中心浓度pt ： 复合中心能级上的空穴浓度四 .间接复合
