CuCl晶体的生长及表征【开题报告】.doc

1、开题报告应用化学CUCL晶体的生长及表征一、选题的背景与意义在研究CUCL晶体生长的过程中，由于电光CUCL晶体是低温相，只有在360以下才能稳定存在。另外，还发现在200以上，CUCL的溶液一般也不稳定。因此，要得到大尺寸、高光学质量的CUCL晶体应利用低温助溶剂或溶剂，在200以下，用溶液法来生长。这种生长方法的关键就是生长溶剂的选择。过去，人们选用的溶剂一般只有分子型无机或有机溶剂，但CUCL在这些溶剂中要么溶解度很小，要么结晶差，要么不能稳定存在。很难生长得到大尺寸、高质量的单晶体。在充分调研和一定预研基础上，发现从20世纪80年代开始出现的一类全新的溶剂离子液体，有望成为一类非常好的

2、CUCL生长溶剂。离子液体是由特定的有机正离子和无机负离子组成的液态熔盐体系。具有非挥发性、低熔点（一般200以下）、宽液程、高稳定性、高溶解力等特性。并可通过选择适当的阴离子或微调阳离子的烷基链，改变离子液体的物化性质。在20世纪90年代末开始出现研究热潮，并逐渐与传统的技术领域交叉融合，展现出其特定的物化性质及特有的功能。在有机合成、催化反应、电化学、分离提纯等方面有了很好的应用21。作为一类新出现的溶剂，对它的应用研究还方兴未艾，还有很多待开发的研究领域。这也为晶体生长提供了一种新的选择方向。最后根据离子液体结构特性和CUCL的相关性质，选择了一些卤化烷基类离子液体为生长体系，研究CUC

3、L在其中生长结晶。卤化烷基类离子液体内部有很强的库仑力，并有卤素阴离子存在，容易和亚铜离子配位。这样使得它们有可能很好的溶解CUCL。最终，选择在卤化烷基类离子液体中生长CUCL晶体。一、研究的基本内容与拟解决的主要问题根据CUCL在溶剂中的特性，选择合适的生长方法，设计晶体生长装置。优化组合溶液过饱和度、生长温区、晶体转速等工艺参数来提高晶体的质量。获得厘米尺寸高质量的CUCL晶体并进行表征。二、研究的方法与技术路线一、研究方法文献查阅和进行实验。二、技术路线1、利用CUCL/离子液体二元体系相图，选择生长温度区间。根据溶液的特点，采用惰性气体保护下温差法、降温法来研究CUCL晶体材料的生长

4、方法、设备。2、结合晶体的生长方法，优化溶液过饱和度、生长温区、晶体转速等参数来提高晶体的质量。获得厘米尺寸高品质的CUCL晶体并进行表征。三、研究的总体安排与进度第一阶段收集并整理资料，确定选题2010年6月10月1、收集相关文献。2、按照文献设计可行的实验方案。第二阶段做实验，同时完成开题报告1、2010年10月10号开始做实验。2、2011年1月6号之前完成开题报告资料。3、2011年1月6号进行开题报告。第三阶段；做实验，写论文，准备答辩。四、主要参考文献1顾浩室温离子液体的性质和应用J精细与专用化学品，2005，137110122JMLIANG,YMA,YZHENGANDHTDAVI

5、S,LANGMUIR,2001,17,64473邓友全离子液体性质、制备与应用M中国石化出版社，2006，7，94HURLEYF,WIERTELECTRODEPOSITIONOFMETALSFROMFUSEDQUATERNARYAMMONIUMSALTSJOURNALOFTHEELECTROCHEMICALSOCIETY,1951,98,2035HUDDLESTONJG，VISERA，REICHERTWMCHARACTERIZATIONANDCOMPARISONOFHYDROPHILICANDHYDROPHOBICROOMTEMPERATUREIONICLIQUIDINCORPORATINGT

6、HEIMIDAZOLIUMCATIONJGREENCHEM，2001，31561646DENGY,SHIF,BENGJ,QIAOKIONICLIQUIDASAGREENCATALYTICREACTIONMEDIUMFORESTERIFICATIONSJOURNALOFMOLECULARCATALYSISACHEMICAL,2001,165133367FREEMANTLEMIONICLIQUIDSSHOWPROMISEFORCLEANSEPARATIONTECHNOLOGYJCHEMENGNEWS，19983412138FREEMANTLEMBUFFEREDIONICLIQUIDBOOSTSCA

7、TALYSTACTIVITYJCHEMENGNEWS，1999，77911129MERRIGANTL，BATESED，DORMANSC,ETALNEWFLUOROUSIONICLIQUIDSFUNCTIONASSURFACTANTSINCONVENTIONALROOMTEMPERATUREIONICLIQUIDSCHEMCOMMUNCAMBRIDGE,2000,2020512O52311FBLOISI,LVICARI,LASERBEAMMANIPULATIONBYCOMPOSITEMATERIALELECTROOPTICDEVICES,OPTICSANDLASERSINENGINEERING,

8、2003,393,38940812TBYOUNG,JKSUNG,HKSUN,CYJONG,LINEARELECTROOPTICCOECIENTOFAGAAS/AL04GA06ASPHASEMODULATOR,JOURNALOFTHEKOREANPHYSICALSOCIETY,2004,455,1162116413EKJAMES,YAMNON,ELECTROOPTICCHARACTERISTICSOFCDTEAT339AND106,APPLIEDPHYSICSLETTERS,1969,151,262714SLEWONCZUK,JGGROSS,JRINGEISSEN,REALISTICBANDST

9、RUCTUREOFCUPROUSCHLORIDE,PHYSREVB,1983,27,1259127015JRIVERA,LAMURRAY,PAHOSS,GROWTHOFCOPRUSCHLORIDESINGLECRYSTALSFOROPTICALMODULATORS,JOURNALOFCRYSTALGROWTH,1967,14,17117616TGOTO,TTAKAHASHI,MUETA,EXCITONLUMINESCENCEOFCUCL,CUBRANDCUISINGLECRYSTALS,JPHYSSCOJAPAN1968,24,31432717AFARMINGTON,JJOHNOCONNOR,

10、THEGELGROWTHOFCLEARCUPROUSCHLORIDECRYSTALS,MATERIALSRESEARCHBULLETIN,1967,102,90791118WRWILCOX,RACORLEY,CZOCHRALSKIGROWTHOFCUCL,MATERIALSRESEARCHBULLETIN,1967,52,57157919TINOUE,MKURIYAMA,HKOMATSU,GROWTHOFCUCLSINGLECRYSTALSBYTHETOPSEEDEDSOLUTIONGROWTHMETHOD,JOURNALOFCRYSTALGROWTH,1991,1122,53153820JKVAPIL,BPERNER,SOMEPROPERTIESANDORIENTATIONOFCUCLSINGLECRYSTALSGROWNBYTHETRAVELLINGHEATERMETHOD,JOURNALOFCRYSTALGROWTH,1971,28,16216421RDROGERS,KRSEDDONIONICLIQUIDSSOLVENTSOFTHEFUTURESCIENCE,2003,302,792793