1、 复习思考题 2016 1 器件原理中的 基本概念 空间电荷区 (耗尽区 )、隧道效应、雪崩倍增效应、电流增益、特征截止频率、 厄尔利效应 ，开关时间、 渡越时间、 夹断电压、跨导、亚阈值区、长沟道器件 、 缓变沟道 近似模型 、短沟道效应 2 PN结的 理想 IV特性 方程 、 CV特性、 击穿特性 3 实际 PN结与理想 PN结相比有 哪些 修正效应 4 利用 PN结特性制作的一些典型应用器件 5 双极型晶体管具有 放大 作用的工作原理及 四种工作状态 6 推导 双极 型 晶体 管缓变 基区 内 建电场和 基区少子分布 7 双极 型 晶体管的修正 效应 ： 基区扩展电阻效应（ 发射极电流集
2、边效应 ） ， Early效应（ 基区宽度调制 效应 ）、 Kirk效应（基区展宽效应）， 产生复合效应， 大注入效应 8 双极晶体管的频率 参数及频率响应的基本限制 9 开关晶体管的开关时间定义及描述。 10 金半接触 类型与特征 、 肖特基势垒二极管与 PN结二极管区别 11 JFET、 MESFET 的工作原理与 IV方程的 特 点 12 计算 实际 MOS 器件 的 阈值电压 13 MOSFET 的 工作原理与 IV特性方程 14 饱和夹断、截止夹断、穿通夹断的区别 15 CMOS 电路结构和特点 16 短沟道效应 及 速度饱和效应 、 DIBL效应 、 热载流子效应 17 MOS 器件小型化的规则 18 比较 BJT、 MESFET（ JFET）、 MOSFET 的 工作 原理及 优缺点
