模拟电子技术第一章习题解答.docx

1、第一章习题解答题 1-1 欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。理 想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。题 1-2 假设一个二极管在 50C 时的反向电流为 10A，试问它在 20C 和80C 时的反向电流大约为多大？已知温度每升高 10C,反向电流大致增加一倍。答：在 20C 时的反向饱和电流为 2-3x10A=1.25A在 80C 时的反向饱和电流为 23x10A=80A题 1-3 某二极管的伏安特性如图 P1-3(a)所示： 如在二极管两端通过 1k 的电阻加上 1.5V 的电压，见

2、图 P1-3(b)，此时二极管的电流 I 和电压 U 各为多少？ 如将图 P1-3(b)中的 1.5V 电压改为 3V，则二极管的电流和电压为多少？提示：可用图解法。 i/ mA32100.5 u /V11.52+ U -I 1k 1.5V (a) (b) 图 P1-3解：根据图解法求解电源电压为 1.5V 时，1.5=U+II0.8mA ，U0.7V电源电压为 3V 时，3=U+II2.2mA ，U0.8V可见，当二极管正向导通后，如电源电压增大，则二极管的电流随之增大，但管子两端的电压变化不大。题 1-4 已知在图 P1-4 中，u 1=10sint(V)，R L1k，试对应地画出二极管的

3、电流 iD、电压 uo 的波形，并在波形图上标出幅值，设二极管的正向压降和反向电流可以忽略。答：图略动态电阻 rz 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流 rz 愈大，则其动态电阻愈小，稳压性能也愈好。但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。温度系数 u 的绝对值愈小，表示当温度变化时稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。题 1-5 欲使稳压管具有良好稳压特性，它的工作电流 IZ、动态内阻 rZ 以及温度系数 au 等各项参数，大一些好还是小一些好？答：动态电阻 rZ 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的 电压变化量

4、愈小，稳压性能愈好。 一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流 IZ 愈大， 则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。但应注意不要超过 其额定功耗，以免损坏稳压管。 温度系数 U 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳 压管的电压ui/V10 0 t t t t 0 0 0 iD/mA uD/V uO/V （a）（b）图 P1-4变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。题 1-6 在图 P1-6 中，已知电源电压 V=10V，R=200 ，R L=1k,稳压管的U2=6V，试求： 稳压管中的电流 IZ=? 当电流电压 V 升高到 12V，I Z 将变为多少？当 V 仍为 10V，但 RL 改为 2 k 时，I

5、Z 将变为多少？解： LzR6mAUIz20所以 LzR614I ，所以30mAULzR30624mAI ，所以zIRLz217I题 1-7 设有两个相同型号的稳压管，稳压值均为 6V，当工作在正向时管压降均为 0.7V，如果将它们用不同的方法串联后接入电路，可能得到几种不同的稳压值？试画出各种不同的串联方法。解：12V；1.4V；6.7V题 1-8 有两个三极管，已知甲管的 99,则 ？当甲管的 IB1=10A，1 1时，其 IC1 和 IE1 各为多少？乙管的 0.95,其 ？若乙管的 IE2=1mA，则 22IC2 和 IB2 各为多少?解：1_190. C1BAII图 P1-6_1E1

6、B()(9)10AII20.5_2CE19m0.951IIB2E2_A.9II题 1-9 测得某电路中几个三极管的各极电位对地的电压值如下，试判别管子工作在什么区域？（a）V C=6V VB=0.7V VE=0V (b) VC=6V VB=2V VE=1.3V(c) VC=6V VB=6V VE=5.4V (d) VC=6V VB=4V VE=3.6V(e) VC=3.6V VB=4V VE=3.4V1-9 解（a） （b）工作在线性区；（c ）工作在饱和区，为浅饱和；（ d）工作在截止区；（f ）工作在饱和区且为深度饱和；全是 NPN 三极管。题 1-10 已知图 P1-10 (a)(f)中

7、各三极管的 均为 50,UBE0.7V，试分别估算各电路中三极管的 IC 和 UCE，判断它们各自工作在哪个区(截止区、放大区或饱和区) ，并将各管子的工作点分别画在图 P1-10（g）的输出特性曲线上。2k 20k 2k 20k 2k 10V 10V 10V 20k 2V （ a） （ b） （ c） 20k 2k 10V 20k 20k 10V 20k 10V （ d） （ e） （ f） 2V iC/mA402 uCE/V46810IB=10A8060A4020A05321（g）图 P1-10题 1-10 解答：（a） B20.765mAkICESS1.3097VUIR,三极管工作在放大

8、状态BC50.63.25mAIEC1.VUVIR（b） B.704652kCESS1.397mAIR,三极管工作在放大状态BC50.462.35IEC1.VUVIR(C) B.70465mA2kCESS1.397IR,三极管工作在饱和状态BSICE0.3VUCES1.485mA2kIR（d） BECC0,10VIU三极管工作在截止状态（e） BCEC,I三极管工作在截止状态（f） B10.7465mA2kI,三极管工作在放大状态SCB50.46.325IE1VU题 1-11 分别测得两个放大电路中三极管的各极电位如图 P1-15(a)和 (b)所示，试识别它们的管脚，分别标上 e、b、c ，并

9、判断这两个三极管是 NPN 型，还是 PNP 型，硅管还是锗管。(a) (b) 图 P1-13解：本题的前提是两个三极管均工作在放大去（a）1- 发射极 e,2-集电极 c,3-基极 b，三极管类型为 NPN 锗管（b）2-发射极 e,1-集电极 c,3-基极 b，三极管类型为 PNP 硅管题 1-12 某三极管在 20C 时的反相饱和电流为 ICBO=1A, =30, 试估算三极管 50C 时的 ICBO 和穿透电流 ICEO 大致为多少？已知当温度升高 10C 时，ICBO 大约增加一倍，而当温度每升高 1C 时， 大约增大 1%。解：20C 时， CEOCBO(1)31AII50C 时，

10、 B8A0t 5020(1%)3()(01%)39CEOCBO2=.mII题 1-13 已知一个 N 沟道增强型 MOS 场效应的漏极特性曲线如图 P1-13所示，试作出 UDS=15V 时的转移特性曲线，并由特性曲线求出该场效应管的开启电压 UT 和 IDO 值，以及当 UDS=15V，U GS=4V 时的跨导 gm。iD/mA43210 uDS/V5101520UGS=4.5V4V3.5V3V图 P1-13解：由图得到：开启电压 UGS(th)=2V当 UGS= 2UGS(th)=4V 时对应的 iD 值即为 IDO=2.5mADmGS41.2.8mS53igu转移特性曲线如下题 1-14 已知一个 N 沟道增强型 MOS 场效应管的开启电压UT +3V，I DO=4mA,请示意画出其转移特性曲线。题 1-15 已知一个 P 沟道耗尽型 MOS 场效应管的饱和漏极电流IDSS2.5mA, 夹断电压 UP=4V，请示意画出其转移特性曲线。