1、IBC 工艺流程准备N 型 FZSi，电阻率约为 2.5cm。制作前 进行了双面抛光，并在0.55%的 HF 酸溶液中浸泡，去除金属颗粒等杂质B 掺杂背面（BS）外延 B 掺杂，形成 P+，制作 发射极掩模 1PECVD 沉积氮化硅，厚度 约 200nm，作为后道工艺的掩模酸洗 1利用去除未经曝光的光刻胶，漏出需要做 BSF 的区域，并且用BHF（buffered hydrouoric）去除需要做 BSF 区域的氮化硅刻蚀 1利用 HF 和 HNO3 去除 BSF 区域的 Emitter。利用 Si 的各向异性和氮化硅的各项同性差异可以在相同时间内做到 Si 和氮化硅的差异性刻 蚀，Si 被腐
2、蚀的速度大于氮化硅，从而做出氮化硅 悬臂P 掺杂制作 BSF，形成 N+。然后利用 BHF 溶液去除旧的氮化硅层（P 掺杂时被污染），在重新 PECVD 沉积氮化硅层前表面（FS）制绒（Texture ）在 TMAH（四甲基氢氧化铵 ）和 IPA（异丙胺）水溶液中利用 110 面的特性刻蚀出金字塔结构。氮化硅悬臂，有助于BSF 和 emitter 的隔离0.5mIBC 工艺流程FSF 和退火 再此去除背面氮化硅层，并在 FS 进行 P 扩散，制作 FSF。然后在 850和氧气氛 围中进行退火，以激活 FS 和 BS 注入的离子。此时，在FS 和 BS 形成了 10-35nm 厚的 SiO2层，作为 ARC 的第一层。第二层 ARC根据 SiO2 的厚度，在 FS 沉积 70-45nm 厚的氮化硅层，形成双层 ARC，并且起到 FS 的钝化作用（中和悬挂氢键）。同时在 BS 沉积100nm 厚氮化硅层，以增强背面内反射，同时达到背钝化的目的。背接触电极在整个 BS 热蒸发工艺沉积约 2m 厚 Al。分离制作电极利用特定工艺去除除 BSF 接触区和 Emitter 区的 Al 层，形成交叉指状正负电极。
