多晶硅的检测和生长大全.ppt

1、多晶硅块检测简介,周建武 2010.12.1,目录,一.硅的性质二.多晶硅块的检测项目三.影响少子寿命的主要因素,一、硅的性质,1、硅的物理性质2、硅的化学性质3、硅原料处理流程,1、硅的物理性质,a.固体密度：2330 kg/m3b.溶体密度：2500 kg/m3 c.硬度值：6.5d.晶体结构：面心立方e.熔点: 1414 ,硅的晶体结构,2、硅的化学性质,硅在地壳中的含量居第二位约为26，仅次于氧，所以说是遍地皆硅，原子量为28.0855 价电子排布3s2 3p2, 氧化价4。硅是硬脆性的，比玻璃要硬。在自然界中硅是以化合物形式存在，例如石英石，白岗岩中都含有硅。常温下，只与碱、氟化氢、

2、氟气反应，不与硫酸、盐酸、硝酸等反应。反应方程式 Si+2NaOH+H2O=Na2SiO3+2H2 Si+2F2=SiF4 3Si+4HNO3+18HF=3H2SiF6+4NO+8H2O,3、硅原料处理流程,硅料打磨,分选,酸洗,碱洗,超声波清洗,烘干,冷却,包装硅料,二.多晶硅块的检测项目,1.导电类型 2.电阻率 3.少子寿命 4.红外探伤,1、导电类型测试导电类型是一个重要的基本电学参数,根据多晶铸锭时所掺杂的元素,可以将多晶划分为P型和N型两大类.P型多晶中多数载流子是空穴,它主要是依靠空穴来导电;因此P型半导体又可称为空穴半导体;N型半导体则相反。P型：掺入硼，镓元素或合金。N型：掺

3、入磷，砷元素或合金。,在样品上压上三个探针,针距在0.151.5mm的范围内在探针1和探针2之间通过限流电阻接上624V(一般为12V)的交流电源,在探针2和探针3之间接检流计.根据检流计指示偏转的方向就可以判定半导体的样品是P型还是N型.,三探针测导电类型的原理:,PN结:P型半导体与N型半导体相互接触时，其交界区域称为PN结。 P区中的自由空穴和N区中的自由电子要向对方区域扩散，造成正负电荷在PN结两侧的积累，形成电偶极层。电偶极层中的电场方向正好阻止扩散的进行。当由于载流子数密度不等引起的扩散作用与电偶层中电场的作用达到平衡时，P区和N区之间形成一定的电势差，称为接触电势差。,由于P区中

4、的空穴向N区扩散后与N区中的电子复合，而N区中的电子向P区扩散后与P区中的空穴复合，这使电偶极层中自由载流子数减少而形成高阻层，故电偶极层也叫阻挡层，阻挡层的电阻值往往是组成PN结的半导体的原有阻值的几十倍乃至几百倍。,2、电阻率测试,掺硼电阻率为13cm掺镓的电阻率0.56cm。(单晶)掺入硼多，电阻率就低。反之则高。可根据掺杂计算, 知道加入的硼量,电阻率测试原理(涡流法):,样品放置在对中的传感元件或换能器之中，换能器为施加高频磁场的高磁导率的磁体。硅在高频磁场中产生感生电流，此电流的流通方向呈闭合漩涡状，称涡电流或涡流。样品中的涡流消耗能量，为保持高频振荡器的电压不变，高频电流将增加。

5、样品电阻越低，高频电流的增量越大，呈反比。测量电流值，可以获得样品的方块电阻或电阻率。,电阻率测试原理示意图,控制器,涡流传感器,高频线圈,3、少子寿命,对于P型半导体硅材料而言,产生非平衡载流子的外界作用撤除以后,它们要逐渐衰减致消失,最后载流子浓度恢复到平衡时的值,非平衡少数载流子的平均生存时间称为非平衡少数载流子的寿命,简称少子寿命. 单位 (微秒)。我们公司硅片的少子寿命值为1.2微秒以上，硅块取值是在2微秒以上。,S,少子寿命的测试原理,微波光电导衰退法(Microwave photoconductivity decay)测试少子寿命，主要包括激光注入产生电子-空穴对和微波探测信号这

6、两个过程。904nm 的激光注入（对于硅，注入深度大约为30m）产生电子-空穴对，导致样品电导率的增加，当撤去外界光注入时，电导率随时间指数衰减，这一趋势间接反映少数载流子的衰减趋势，从而通过微波探测电导率随时间变化的趋势就可以得到少数载流子的寿命。,少子寿命测试图像,4、红外探伤仪,红外探伤仪的测试原理: 衍射（Diffraction）又称为绕射，波遇到障碍物或小孔后通过散射继续传播的现象。衍射现象是波的特有现象，一切波都会发生衍射现象。 红外线由红处光源发出，透射过硅块后，由红外相机探测透射过来的红外光线强度。缺陷核心对红外射线有吸收、反射、散射作用，导致红外射线的损失通过图像上的明暗差异

7、，可以借此确定杂质的位置。,红外探伤仪测试的原理平面图,三、影响少子寿命的主要因素,1、位错2、碳含量过多3、氧含量过多4、微晶5、杂质过多,1、位错,在多晶铸锭过程中,由于热应力的作用会导致位错的产生.另外,各种沉淀的生成及由于晶格尺寸的不匹配也会导致位错的产生.这些位错本身就具有悬挂键,存在电学活性,降低少数载流子的寿命.而且金属在此极易偏聚,对少子寿命的降低就更加严重。,2、碳含量,太阳电池的碳含量要求是小于1ppm（5 x 1016 即1ug/mL）碳会影响太阳电池的质量，碳的分凝系数为0.07，所以硅熔体中绝大部分的碳集中在埚底。埚底料过多是不好的。多晶硅中的碳作为铸造多晶硅中的另外

8、一种杂质，其热化学反应： SiO2 +2 C = 2CO + Si 主要来源于石墨热场的沾污，处于替代位置上的碳对材料的电学性能并无影响，但是当碳的浓度超过其溶解度很多时，就会有沉淀生成，诱生缺陷，导致材料的电学性能差，在快速热处理时，就会有沉淀生成，诱生缺陷，导致材料的电学性能变差。,3、氧含量,氧含量应1 x 1018。氧是多晶硅中的一种非常重要的杂质，它主要来源于石英坩埚的沾污。在硅的熔点温度下，硅和二氧化硅发生如下热化学反应 SiO2+Si = 2SiO SiO 被硅熔体中的热对流带至坩埚中心的过程中，99%的SiO蒸发了，仅1的SiO进入晶体中，形成了硅中的氧含量。这样在铸锭多晶硅过

9、程中，从底部到头部，从边缘到中心，氧浓度逐渐降低，虽然低于溶解度的间隙氧化并不显电学活性，但是当间隙氧的浓度高于其溶解度时，就会有氧施主、热施主和氧沉淀生成，进一步产生位错、层错。从而成为少数载流子的复合中心。温度越高产生的SiO越多，坩埚的熔蚀量就越大。,4、微晶,微晶的产生：1、由于杂质过多引起的组份过冷。2、长晶速度过快,5、杂质,杂质分为贵金属、重金属。贵金属包括金、银。重金属如铜、铁等。由于铁的分凝系数较小，在结晶的过程中，铁原子不断向硅锭顶部聚集，从而也导致顶部铁浓度较高。也由于铁具有较大的固相扩散和扩散速度，所以坩埚以及氮化硅保护层中和原材料中所包含的金属杂质则成为硅锭底部处铁的

10、主要来源。,顶部杂质,附：开方后硅块检测项目及标准,谢谢！,太阳电池用硅片外观检测装置,2010年11月株式会社 安永CE事業部 営業部門,特征,太阳能电池用硅片外观检测综合提案硅片表面缺陷检查（硅片上面/下面）硅片尺寸形状测定不可视内部裂痕检查（0 / 902阶段检查）硅片4边edge详细缺陷检查硅片edge侧面厚度测定检测（厚度,TTV,线痕 ,段差,棱线,翘曲）高速检查 1.0sec/wafer对应单晶以及多晶硅片对应金刚线加工硅片,检查系统构成图,Edge检查 左,Edge检查- 右,不可视裂痕检查（NVCD） 0,上表面检查,Edge检查 后,Edge检查 前,不可视裂痕检查（NVC

11、D） 90,下表面检查,硅片90转向,3D 激光检查,To 传送分选部,动作录像,基本配置,检查项目一览,上面检查部,下面检查部,上面/下面表面检查部,表面缺陷检查污浊,伤痕,指纹等,硅片尺寸测定全长/全宽,直径,去角,角度,上面/下面表面检查部,检测例）污浊不良（单晶）,检测在约W0.4mm范围内存在的微小污浊,上面/下面表面检查部,检测例）污浊不良（多晶）,检测出约.20.6mm的污浊，五其他部位的过度检测,上面/下面表面检查部,不可视裂痕 NVCD检查部（0,90）,与其他公司比较，可以将更小的裂痕用更清晰的方式检测出来 Crack-Amplifier Technology*,*Pate

12、nt Pending,他社方式,安永TD200,不可视裂痕 NVCD检查部（0,90）,检测例）细微的内部裂痕TD200可以在硅片 0以及 90放置时检测可对由于方向不同而造成的检测困难的裂痕做出精确的检测,硅片0检查时的画像,硅片90检查时的画像,不可视裂痕 NVCD检查部（0,90）,Edge检查部,edge检查部概图,Edge检查部,硅片侧面edge部位容易发生归类于重度不良的。TD200拥有对硅片4边edge部位进行集中检查的机能。,Edge检查部,edge检查范围edge部表/里面崩边、缺口检查edge部侧面崩边、缺口检查edge侧面厚度测定检查分辨率15um/pix,11.5mm,

13、检查例）检查edge部缺口,缺口大小）从edge开始0.6mm长度2.9mm侧面画像中也可确认到缺口。,Edge检查部,edge表面,Edge里面,側面,侧面画像也可确认到不良,Edge检查部,检查例）检查edge部缺口,可以从edge侧面画像中检查出硅片厚度1/2左右的缺陷,Edge检查部,检查例）检查edge侧面细微缺口,可在edge检查中获取的侧面画像中测定edge部的厚度（去角部除外）,Edge侧面画像,Edge检查部,检查例）测定edge侧面厚度,激光变位器6set（上3/下3）,3D激光检查部,厚度（Max,Min,Ave）TTV线痕段差棱线翘曲,3D激光检查部,检查例）厚度小不良

14、,上面测定结果下面测定结果,厚度演算结果下限规格在150m以下的作不良判定,3D激光检查部,段层不良,线痕不良,检查例）段层、线痕不良,3D激光检查部,标准式样对应硅片清洗箩筐 （2套/自动交换）*可对应摞片式、以及客户专用式样,上料部（硅片供给部）,卸料分选部,标准式样良品分装段数:8（4段2处）不良品分装段数:7（1段7处）130片/段（t200um厚硅片）*良品最多可分16段,不良品最多可分10段,全94or2or1段機構,Wafer,Thank you for your participationsBest wishes to all of you,欢迎进入硅片检验培训课堂,公司简介公

15、司质量方针及质量目标5S简介及效益硅片（单晶/多晶）检验知识基本简介各类检测工具的简介手检培训流程及内容机检培训流程及内容,员工培训课程,一、公 司 简 介,江苏格林保尔光伏有限公司是专业从事太阳能电池、太阳能电池组件和光伏发电系统的研发、生产、销售和服务的高科技企业。 为公用电力、住宅、商业、交通及公共事业等诸领域提供绿色、清洁、永续的太阳能光伏电力解决方案。 全部产品通过CE、TUV、IEC、VDE等国际权威机构认证。,二、公司质量方针及目标,1、质量方针：通过持续创新努力降低太阳能电力制造成本，始终如一地履行为客户提供卓越产品的承诺，优质服务，争创世界品牌，发展低碳经济，以先进的太阳能技

16、术为人类发展提供绿色电力。2、质量目标：太阳能电池组件合格率99.8%太阳能电池片合格率94%顾客满意率80%,三、5S简介及效益,1、5S概念是指：整理(SEIRI)、整顿(SEITON)、清扫(SEISO)、清洁(SEIKETSU)、素养(SHITSUKE)五个项目，因日语的拼音均以“S”开头,简称5S. 备注：加上安全（SAFETY) 、节约(Save) 为7S，即7S=5S+2S。2、5S起源于日本,通过规范现场,营造一目了然的工作环境,强调的是行动，持续的、有恒的去做，培养员工良好的工作习惯,其最终目的是提升人的品质.,革除马虎之心,养成凡事认真的习惯 (认认真真地 对待工作中的每一

17、件小事)遵守规定的习惯自觉维护工作环境整洁明了的良好习惯文明礼貌的习惯,3、具体表现：,降低物料报废及仓库呆、废料；减少不必要的体力工作。(零浪费)减少公伤及灾害。(零伤害)增加机器使用率。(零故障)提高生产品质。(零不良)减少品质不良。(零抱怨),4、推行5S运动的效益（1）,减少产品延迟交货。(零延迟)扩大厂房的效用。增加认同感（较有制度）。外宾参观时，觉得有面子。走道畅通，地板不再乱放物品，感觉工作场所气氛比较好。,推行5S运动的效益（2）,四、硅片检验知识基本简介,1、单晶硅片检验基础知识及不良影响,外观类定义：在光照度700Lux下，外观全检，外观类均目测。不得有碎片、缺角、裂纹、脏

18、污、孔洞、未加工好、色差、孪晶等。如下图示:,外观类,图片写真,不良名称：未加工好(Defect of slicing),不良描述：线切割时造成的表面小崩边和小缺口,可能造成以下不良影响：丝网印刷银浆外流造短路小崩边和缺角是造成后续硅片破碎的潜在因素影响电池片外观和后续组件制造的外观，也是组件制造过程中破碎的潜在因素 未加工好不合格,不良名称：针孔（Hole),不良描述：针头大小的出现在硅片表面穿透或未穿透的小孔 。,可能造成以下不良影响：拉晶材料中混有微小杂质，这些杂质在拉晶过程中进入晶体切片后，在制绒阶段杂质被腐蚀掉，出现针孔。清洗后发现针孔，存在丝网印刷时银浆可能流出，一方面可能造成正负

19、极短路；另一方面可能造成银浆流到电池存放台，造成后续电池片污染 针孔不合格,图片写真,不良名称：孪晶（crystal twin ）,不良描述：指两个晶体（或一个晶体的两部分）沿一个公共晶面（即特定取向关系）构成镜面对称的位向关系,图片写真,可能造成以下不良影响：孪晶交界的部位使得内部晶体结构上存在差异，后续制造过程中在电池片转换效率上存在影响由于孪晶不可能做出与正常硅片一样的转换效率，所以孪晶的存在变相减少了硅片的实际有效面积 孪晶不合格,不良名称：脏污（Dirty),不良描述：硅片表面上肉眼可见的各种外来异物的统称。通常由操作或指纹引起的一种密集的局部污迹（脱胶不干净或水纹印，手指印） 。,

20、可能造成以下不良影响：表面脏污如果在清洗中难以去除将导致镀膜后，外观缺陷，根据脏污存在的大小，产生色斑片等外观缺陷影响后续生产组件的外观 脏污不合格,图片写真,不良名称：色差（Colour aberration),不良描述：同一硅片上，表面颜色存在明显差异,图片写真,可能造成以下不良影响：表面颜色不一，影响电池片的外观；影响后续生产组件的外观 色差不合格,不良名称：裂纹（Crack),不良描述：延伸到晶片表面，可能贯穿整个晶片厚度的解理或裂痕；,图片写真,可能造成以下不良影响：影响后续各岗位正常生产；对后续生产造成潜在破碎； 裂纹不合格,不良名称：缺口/缺角（Chipped Corner),不

21、良描述：硅片边沿上缺掉一小块所形成的空隙,也泛指不完整之处 。,可能造成以下不良影响：后续无法生产 缺角不合格,图片写真,不良名称：碎片(Broken wafer ),不良描述：硅片形成残缺，破碎较严重,可能造成以下不良影响：后续无法生产 碎片不合格,图片写真,不良名称：翘曲（Warp),不良描述：硅片边缘部分翘起(可能由于硅棒本身内应力或位错引起),可能造成以下不良影响：硅片清洗甩干会因为内部应力而造成碎片扩散过程中由于高温作用对硅片应力产生影响，由于其原材料本身的原因，造成碎片PECVD镀膜设备要求较高的弯曲度要求对于弯曲大于0.05MM的硅片会造成镀膜不良，后续生产的铝膜片，严重影响电池

22、片的电性能丝网印刷时，栅成印刷不良出现，断栅或者栅线不全丝网印刷刮板通过时可能造成因挤压造成的碎片,图片写真,测量时，放在水平测试台（花岗岩平台）上，使用工具塞尺测量。如：图3,标准范围：合格:0.05mm， 无让步， 不合格：0.05mm。,图片写真,不良名称：弯曲(Bend ),不良描述：硅片拿在手中轻晃有波动的感觉，放在水平测试台上不会动,可能造成以下不良影响： 与翘曲的影响类似标准范围：合格：0.05mm； 让步：0.5mm； 不合格：0.5mm。 测量方法与工具同翘曲,图片写真,不良名称：线痕(Saw Mark ),不良描述：线切割后，在硅片表面平行于边且贯穿整个硅片表面，严重的形成

23、台阶的或有颜色渐变的痕迹。,可能造成以下不良影响：清洗制绒时生产亮线，镀膜无法掩盖，影响电池片外观制造过程中硅片的叠加，挤压，会造成碎片丝网印刷过程中，由于厚薄差异，易造成碎片,标准范围：合格：15um； 让步：30 （180um厚度 及以下无让步） 不合格：30um。备注：检验中，若同一位置都有线痕必须相加其测试值。,测量时，在水平测试台上，使用面粗糙度计测量。,不良名称：台阶(Step patch ),不良描述：某片硅片从侧面看成阶梯段，测量时发现厚度差异较大,可能造成以下不良影响： 与线痕的不良影响类似标准范围：合格： 15um； 无让步 不合格：15um,不良名称：崩边(Edge de

24、fect ),不良描述：晶体边缘或表面未贯穿晶片的局部缺损区域，当崩边在晶片边缘产生时，其尺寸由向浓度或周边弦长给出。,可能造成以下不良影响：由于已经存在缺口，在裂碎部位存在的延伸和应力点，在后续生产会产生较多碎片由于崩边位置不一致，大小上存在差异，后继定位各工序均无法正常展开由于崩边可造成电池片实际可利用面积减小，从而影响电池转换效率,图片写真,标准范围：合格：长0.5；深0.3; 每片片子崩边数个让步：长不限；深0.5；每片片子崩边数个不合格：深0.5;每片片子崩边数2个备注：检验时，发现崩边要注意，是否存在因小崩边引起的隐裂存在。,不良名称：硅晶脱落(Silicon crystal fa

25、ll off ),不良描述：未发生在硅片边缘处棱边上的崩边，即崩点，称为硅晶脱落,可能造成以下不良影响：生产碎片的潜在因素影响电池片和组件的生产外观标准范围：合格：无硅晶脱落让步：面积11，每片片子个数2个且未穿透；不合格：面积11，每片片子个数2个；穿透,图片写真,边长、对角线：使用游标卡尺测量。标准范围：合格:标称尺寸0.5mm,让步：标称尺寸0.6mm不合格：标称尺寸0.6mm，标称尺寸0.6mm,图片写真,尺寸类,不良名称：边长偏大/偏小,不良描述：硅片边长尺寸出现偏差，经测量后数值超出检验要求的范围,可能造成以下不良影响：由于尺寸偏差超出标准范围，将后续生产无法正常进行丝网印刷时银浆

26、可能流出，一方面可能造成正负极短路，另一方面可能造成后续电池片污染如果混入正常尺寸硅片中生产，会导致刻蚀异常，印刷不良,图片写真,厚度（TV/TTV）：（Thinkness) a、TV定义：指一片硅片中心点的值。标准范围： 合格： TV（来料厚度200um）标称厚度20 TV（来料厚度200um）标称厚度15 让步： TV（来料厚度200um）标称厚度30 TV（来料厚度200um）标称厚度20不合格： TV（来料厚度200um）标称厚度30，标称厚度30 TV（来料厚度200um）标称厚度20，标称厚度20,图片写真,标准范围： 合格：TTV（来料厚度200um） 15%X硅片标称厚度 TT

27、V（来料厚度200um） 20%X硅片标称厚度 让步：TTV（来料厚度200um） 25um TTV（来料厚度200um） 30um 不合格： TTV（来料厚度200um） 20%X硅片标称厚度 TTV（来料厚度200um） 30um,、,可能造成以下不良影响：由于各种问题导致，硅棒在线切时因线网抖动而产生的硅片不良后续生产造成破碎的潜在因素备注：硅片的TTV/TV可使用ATM机器进行测量。外径千分尺只能对某片硅片的四个角的TTV 进行测量。,不良名称：TTV不良,不良描述：指一片硅片上最大值与最小值的差值。,图片写真,不良名称：倒角偏差（Corner chamfer),不良描述：硅片倒角有规

28、则的同时凹进或凸出，以凹进最大值计算,可能造成以下不良影响：往往因为滚圆时或切片时，硅棒定位不准确造成丝网印刷时银浆可能流出，一方面可能造成正负极短路，另一方面可能造成后续电池片污染硅片无法放入PECVD石墨舟影响电池片外观和后续组件制造的外观如果混入正常尺寸硅片中生产，会导致刻蚀异常，印刷不良,图片写真,标准范围： 合格：0.5mm， 让步： 0.75mm， 不合格：0.75mm,测量时，使用工具同心度模板测量。,不良名称：外形片,不良描述：硅片倒角不规则的凹进或凸出,可能造成以下不良影响：往往因为滚圆时或切片时，硅棒定位不准确造成丝网印刷时银浆可能流出，一方面可能造成正负极短路，另一方面可

29、能造成后续电池片污染硅片无法放入PECVD石墨舟影响电池片外观和后续组件制造的外观如果混入正常尺寸硅片中生产，会导致刻蚀异常，印刷不良（任一条边以测量最大值计算）内缩和外突,图片写真,图片写真,标准范围： 合格：0.5mm， 让步：0.75mm， 不合格：0.75mm,测量时，使用工具同心度模板测量。,不良名称：梯形片,不良描述：指硅片一组对边平行而另一组对边不平行,可能造成以下不良影响： 与倒角偏差的不良影响类似标准范围： 合格：0.5mm， 让步： 0.6mm, 不合格：0.6mm。,图片写真,不良名称：菱形片,不良描述：指硅片一个平面内，一组邻边相等的平行四边形,可能造成以下不良影响：

30、与倒角偏差的不良影响类似标准范围： 合格：0.5mm， 让步： 0.6mm, 不合格：0.6mm。,图片写真,图片写真,倒片时，发现侧边倾斜,电阻率：用来表示各种物质电阻特性的物理量。电阻率 单位为欧姆厘米 （ohm*cm ）,图片写真,电性能类,不良名称：电阻率不良（Resisivity Defect),不良描述：指硅片一个平面内，一组邻边相等的平行四边形,可能造成以下不良影响： 对后续电池片生产的转换效率存在严重影响标准范围：合格：0.5-3，3-6 让步：0.2-0.5，6-8 不合格：8，0.2,图片写真,P/N型：目前我们执行的是P型，N型为不合格；测量仪器ATM机。少子寿命：对p型

31、半导体材料则相反，产生非平衡载流子的外界作用撤除以后，它们逐渐衰减以致消失，最后载流子浓度恢复到平衡少数载流子的寿命。（Minority carrier lifetime low)。标准范围：裸片合格1us（微 秒），钝化后合格10us；测量仪器ATM机器,2、多晶硅片检验基础知识及不良影响,不良名称：微晶（Micro crystall),不良描述：指每颗晶粒只由几千个或几万个晶胞并置而成的晶体，从一个晶轴的方向来说这种晶体只重复了约几十个周期,可能造成以下不良影响：由于微晶不可能做出与正常硅片一样的转换效率，所以微晶存在是变相的减少硅片实际有效面积由于微晶的存在，使硅片内部生产缺陷，对于后续

32、电池片保证其长时间使用存在影响 标准范围：合格：无微晶 让步：1cm长度上晶粒5个 不合格：1长度晶粒5个,图片写真,不良名称：分布晶（Distrbuting-crystall),不良描述：大晶粒分布的具有特定“圈点”特征的小晶粒，亦称”分散型微晶”。,可能造成以下不良影响： 与微晶的不良影响类似 分布晶不合格,分布晶,图片写真,不良名称：雪花晶（Snow-crystall),不良描述：大晶粒分布的具有特定“圈点”特征的小晶粒，亦称”分散型微晶”。,可能造成以下不良影响： 与微晶的不良影响类似 标准范围：合格：无雪花晶 让步：2cm2晶粒50个 不合格：面积2cm250个,分布晶,图片写真,3

33、、硅片检验标准一览表,备注:合格要求对应正品片,让步要求对应等外品片(包括外加工片)*仅使用于多晶片,*仅使用于单晶片,*硅片TTV的最大和最小要在TV的允许范围之内.外加工正品片合格率80%,作为批退处理.等外品片,一盒有多种缺陷类型混装,作为不良品处理。,附表1：硅片试检抽样,附表2：硅片试投标准,一、试投数量每批不管来料数量多少，均试投3000片，分别在每箱内取一盒达到试投数量二、IQC合格率 正品片：94% 等外品：80%三、直通率 单晶：88% 多晶：90%四、碎片率 125S 150 ：1.5% 156S： 3% 125S 165： 1.5% 156M：3% 五、平均效率 125S

34、 150 ：17.30% 156S：17.20% 125S 165：17.50% 156M：15.90% 六、光衰减比率 单晶：-3.00% 多晶：-2.00%,游标卡尺外径千分尺塞尺同心度模板四探针花岗岩平台面粗糙度计,五、各类检测工具的简介,游标卡尺,图片,使用方法及用途 游标卡尺，使用前应校准归零。用软布将量爪擦干净，使前并拢，查看游标和主尺身的零刻度线是否对齐。如果对齐就可以进行测量：如没有对齐则要记取零误差；游标的零刻度线在尺身零刻度线右侧的叫正零误差，在尺身零刻度线左侧的叫负零误差（这种规定方法与数轴的规定一致，原点以右为正，原点以左为负）。 读数结果为： L整数部分小数部分零误差

35、 （零误差为负，相当于加上相同大小的零误差 ） 用途：测量硅片的边长、对角线的测试值。,注意事项1游标卡尺是比较精密的测量工具，要轻拿轻放，不得碰撞或跌落地下。使用时不要用来测量粗糙的物体，以免损坏量爪，不用时应置于干燥地方防止锈蚀。 2测量时，应先拧松紧固螺钉，移动游标不能用力过猛。两量爪与待测物的接触不宜过紧。不能使被夹紧的物体在量爪内挪动。 3读数时，视线应与尺面垂直。如需固定读数，可用紧固螺钉将游标固定在尺身上，防止滑动。 4实际测量时，对同一长度应多测几次，取其平均值来消除偶然。,外径千分尺,图片,使用方法及用途 使用千分尺时先要检查其零位是否校准。功能键 *.mm ABS/INC键

36、、ON/OFF SET键的使用： mm ABS/INC键：测量制式键和绝对测量与相对测量转换键。1）每次按住此键2秒以上，使出现“mm”字样时，方可进行正确的测量；2）点按此键，实现绝对测量与相对测量转换； ON/OFF SET键：开关键和设定初始值键。1）点按此键开关机；2）当按住此键2秒以上 显示初始值，此值对应校对量杆的值，应为0或25或50或75；3）如果初始值不正确，应重新设置。按住此键不放，使“SET”提示符和数字闪烁，寻找要更改的数字位置，立即松开按键，点按此键，将数值预置到期望值，直至最后一位数字设置完成，此时再重新按住此键2秒，当“SET”闪烁时，立即松开，然后再点按此键一次

37、，使“SET”消失，即完成设置。(听到三声停止转动螺杆)用途：硅片检验时测量片子的厚度值（四个角）。,注意事项 1）使用前需校对起始值是否正确，如不正确则会影响测量结果。 2）微分筒不得旋出固定套管，以防内部部件卡住。 3）在千分尺的任何部位不能施加电压，也不要用电笔刻字，以免损坏电子元件。 4）长期不用时应取出电池。,塞 尺,图片,使用方法及用途 塞尺又称测微片或厚薄规。 使用前必须先清除塞尺和工件上的污垢与灰尘。使用时可用一片或数片重叠插入间隙，以稍感拖滞为宜。测量时动作要轻，不允许硬插。 用途：测量弯曲片、翘曲片的测试值是否在标准范围。,同心度模板,图片,使用方法根据硅片的规格，取用相应

38、的模板型号。模板的区域对齐硅片的任意两边的边缘。对齐测量，刻度值每小格为0.5mm，两小格为一大格，值1cm。读出测量值，根据不良类型判定结果。规格：125S 150 125S 165 156S 200 156E 219,四探针,图片,使用方法及用途将电源打开（ON/OFF）；将电流调到“1”档；将按钮按到“e”；,将一片硅片放到测试台上，按下降键；根据硅片的厚度，将电流调成相应的参数（见附表），如厚度为200um,电流参数就为“0906”，调节参数（粗调与微调）；,将按钮按到R口/e;测试时只要将硅片放在测试台上，注：硅片中心点对准探针，按下降键，电阻率测试值就是显示，测试完后按上升键，取出

39、硅片。 用途：测量硅片的电阻率,附表3,花岗岩平台,图片,面粗糙计,图片,b) SJ-210面粗糙度计作业指导书,c) 测试注意事项：1、测试前注间探头的探针垂直与被测试片不能倾斜（放在水平测试台上测试）2、尽量将探头放在被测试硅片的中间位置，不要放在被测试硅片边缘，以免在测试时，探头收缩到被测试硅片外面而影响测试准确度3、在测试过程中不要触动测试主机和探头，以免影响测试值4、当测试值显示的时侯，探头还在移动过程中，反以不要触碰主机，以免损伤探头,手检流程与内容：1、外观类检测（目测）：交叉倒片；每片拉一次；双面检验。备注：检验时，应带上乳胶手套，严禁用手直接拿硅片，由于硅片容易碎，应在皮垫上

40、进行检验。,六、手检硅片流程及内容,2、尺寸类检验边长：测量硅片时应使用游标卡尺，每片测量4次，并记录最大值与最小值。对角线：使用游标卡尺测量2次。厚度（TV/TTV）：（机检）把需测的硅片放入ATM机中会自动挑出不良品；（手检）外径千分尺。备注：游标卡尺每次使用前，需对齐卡爪清零档归零，防止误差。,3、电性能类测量电阻率：ATM机测量、四探针测量总结：1、手检时，应注意将检验出的不良品 挑出，放入相应的不良品盒中，写上少 片的数量，每盒检验完后要核对自己的 检验数量。 检验合格数+不良品数量=原装数 2、一批结束后应收集不良品，清点数量。 检验合格数+不良品数=检验总数,注意事项：送检时，确

41、认送检单上的信息与实物是否相符（规格、数量）；区分正品片与等外片：正品片根据合格标准检验；等外片根据让步标准检验；来料若有短缺、碎片、缺角、裂纹等现象进行拍照（箱号、晶体编号、实物）；外加工正品片检验要求合格率达到80%；,区分合格与不合格硅片并贴上标签，自购正品片贴合格标签，等外品片贴等外品标签，如是（线痕标签上的原因就写线痕）不良品就贴不合格标签；一批检验结束后，拍数并编写硅片检验汇总等相关表格；填写送检单；填写不良品退换货单；,七、机检流程及内容,ATM机器基础知识机检流程与内容机检型号转换与注意事项机检紧急情况与处理方法ATM日常保养,ATM机器基础知识,ATM检测机器简介ATM检测机

42、器校准操作步骤及流程,ATM测试机器简介,六大模块介绍1号模块：微裂、孔洞2号模块：少子寿命3号与7号模块：外观（崩边、硅晶脱落）4号模块：电阻率（P/N型）5号模块：TTV（线痕、弯曲）6号模块：主界面正常测试时：下料1、2号盒是电阻率0.5-3（合格）， 下料3号盒是电阻率3-6（合格）， 下料5号盒是裂纹、针孔， 下料6号盒是TTV不良， 下料7号盒是其他不良， 下料4、8号盒是测试错误（重测）。,ATM测试机器校准,少子寿命校准,步骤：进入2号模块：点击Stop进入Recorder 放入正常硅片点击Autosetting测试测试完毕后取回硅片，点击 Star正常测试注：少子寿命每班需校准一次。,ATM测试机器校准,电阻率及厚度校准1) 进入4号模块，点击Stop,2)点击Calibrate Thickness（校准厚度），在随后弹出的界面中输入标片的厚度数值，点击“OK”，并查看校准厚度值是否在此范围内，若在此范围内需记录其校准值，若不在此范围内需重新校准,3)电阻率校准：取出标片 再将标片置于电阻率探头下 点击Compensate Resistivity(补偿电阻）点击NEW,4)点击Calibrate Resistivity(校准电阻）输入电阻率标准值点击OK并查看电阻率值是否在此范围内，若在此范围内需记录其校准值，若不在需重新校准拿出标片,