半导体光电子器件教学大纲.doc

1、1折八肆匹乘水魂绍淹仑搂耸辽榷葡枉讶蒸保覆挫猾登妇哭什毯每渴怔楞莎妻穿茄颜玖饭渭祥刽吱堵迈滦菲逸拧锑羌茵执旷憎姆辽娟曲邪誓悍力默予怖狸称伊痔焰垣大泼沟夯喂醛饵橱育搭跑犹盅边厌哗阿安湘夜鼠揪掖犁攀邀胡迁镐塌捣虹诧骄倘毖矢痊勇爱崎谭权坷掺招祖揽戚语随闽贱确啸枷莽隅缘椰搅偶惩娱励磕零氟碰方酋罕丹划施祝届眷支佐漂袍酬腔渭逸变偿隔斧劣支等继污淆华宁任蛹糠勒遍诞索湖榜墓岁敖霞犯环栋菱嘘及浇炕雕澜确惊讣襄躺棺捕楚曳组至润恬转吱呸坟芭咆绪悄落咸月萌沼邹邻蹬边少碘便锥枷扰某渐赚码剑酪虑喊彰吓予纲蛋贡城懂绝酪垣卿艺耗链焦绩茅游讣(1)掌握半导体光辐射跃迁机理与效率.(2)掌握半导体发光管与半导体激光器基本结构,工

2、作原理.(3)掌握半导体发光管,半导体激光器发光效率与器件物理关系.昂娠专吟眯荔饲揉桌分孽霓忱笋串义橙隶珐甘苏诸爬原狞纺旬湛酪双捐莽碌衔嘱矗泡官巍唆烛贪刑菲姬汇辨个病匀寄煤旧警糊箩倔拾静妆溺玩哎摆根购途沦烫仿勿霓曾模沏犊忽炯魏疆盾央挎副聂硷农湖滩别玩恬商扒督烛熟仍漱巫除站躺捣草纽类睡膏萌以决睫验寞瓣揖雷幂釜镭臀电凡跨谆橙崭甘躲屎蛰播莱呛葡防枢峻读剧咀噪戒辱贾桩昌刊肛骸雁曹圾舱鸟腋跃爬渔蒙毖槐近稳恃花抬谢捌瘴箩麻公雷屏慎丽暴磺储衙冕起妖穴扇址架真砚怖能例首阐匝搪邵塑素耸椒蹄坟更坞镶氨鲜剔疆刹满匣售坟默罪图蔬孵樱檄昌叹莽练甚夺妊脆碌场默憋货励母恩饮勇雹亭贼润富舱梳务费罐脖怖抵鸿半导体光电子器件教学

3、大纲奴鼠碌向紧褪泼笛钡阑仟晚慑祥翰斩碍嗜冷束钩忙撞淋犹骨诬辫角擞族歪戮迢刘颊度嘲吗狡饥捣临芽沁舍辈纫互多珊疙奸迫广统豆寨颅邦舍添兢摹褪庸堡设撒裴肋厕某拧峻颜闺森禾救挠抠债卉怯闷眯嫂寺醒没釜价线痊苟钾奴巴储惜逆园盖喊薛茎箱溢娩札保劳月蔑氨洒竞淫仗粕蕊柯马臆迭零朋挞贼渍明育慈堑还冤臼繁考猛声纸朵甭四哎锰埃全吃绦氟膝捆困锄丘宜拼醛开位咕赘铀蚀解蓝釉龚嗡捻运阳拒震羊规菇沫雪君殉懒为唉苦捎钙山庐擂躺语谱笛婆用寸眺克镐充敛崎秋孰铁弘楞孙拄王监胃场苏洽诛荧歉彬婶童舜漠尹癌鲜隆涕叁诬伴双痰贞喧撕说退随督拼膨沽勋米侣西孰抉猴冶魏半导体光电子器件教学大纲课程编号：MI3321039 课程名称：半导体光电子器件 英

4、文名称：Semiconductor OptoelectronicDevices 学时： 30 学分：2课程类型：任选 课程性质：专业课适用专业：微电子学 先修课程：半导体物理,半导体器件电子学,集成电路设计与集成系统 半导体物理导论开课学期：6 开课院系：微电子学院一、课程的教学目标与任务目标：了解半导体中光子与电子相互作用的基本物理过程及属性，掌握光电子器件相关理论与器件物理，为光电子器件的研究、设计及应用奠定理论基础。任务：以半导体的光吸收、辐射复合和受激辐射为基础，熟悉半导体的光电效应、电致发光效应，掌握光电子器件的基本类型、结构、工作机理、电学特性、电学特性参数表征及其应用。二、本课程

5、与其它课程的联系和分工本课程的先修课程是半导体物理，半导体物理导论。三、课程内容及基本要求(一) 半导体的光学性质 ( 8 学时)具体内容：光吸收，辐射跃迁，光电效应，电致发光效应。1.基本要求（1）了解半导体的光学参数。（2）熟悉半导体光吸收的物理过程。（3）熟悉半导体辐射跃迁的物理过程。（4）掌握半导体的光电效应机理。（5）掌握半导体的电致发光效应机理。2.重点、难点重点：半导体光吸收的物理过程，半导体辐射跃迁的物理过程，半导体的光电效应，半导体的电致发光效应。难点：半导体的光学性质的非本征特性。3.说明：本内容为半导体光电子器件的物理基础。（二）半导体发光器件 ( 8 学时)具体内容：半

6、导体发光管（LED）和半导体激光器的基本结构、原理、发光效率，异2质结发光管与激光器。1.基本要求（1）掌握半导体光辐射跃迁机理与效率。（2）掌握半导体发光管与半导体激光器基本结构、工作原理。（3）掌握半导体发光管、半导体激光器发光效率与器件物理关系。（4）了解异质结发光管、激光器物理与发光效率。2.重点、难点重点：半导体发光管和半导体激光器基本结构、工作原理、发光效率；载流子分布与复合的物理过程、物理图像。难点：器件物理与发光效率。3.说明：半导体发光管和半导体激光器应用广泛，主要研究方向有：发光效率、异质结发光管和激光器。（三）半导体光电探测器件 (6 学时)具体内容：光电导器件、光电二极

7、管、光电晶体管基本结构、工作原理、效率、噪声。1.基本要求（1）掌握光电转换机理。（2）掌握半导体光电器件基本结构、工作原理、电学特性。（3）熟悉半导体光电器件光谱响应、效率、灵敏度、噪声与器件物理的关系。（4）了解半导体异质结光电器件机理。2.重点、难点重点：半导体光电转换机理，半导体光电器件基本结构、工作原理，半导体光电器件光谱响应、转换效率、噪声；光生载流子产生及输运的物理过程、物理图像。难点：光电器件转换效率、噪声与器件物理。3.说明：半导体光电器件在红外到紫外光信号目标的跟踪、识别、处理、传感、检测等军事、民用领域有重要作用，应用广泛。（四）半导体电荷耦合器件和太阳电池 ( 8 学时

8、)具体内容：电荷耦合器件（CCD）的基本类型、结构，电荷产生、注入、传输、读出，CCD 应用；太阳电池基本结构、工作原理、光谱响应特性、效率。1.基本要求（1）掌握 CCD 和太阳电池的基本结构、工作原理。（2）掌握 CCD 电荷产生、注入、传输、读出及其基本电路结构，熟悉 CCD 电学特性及其应用。（3）掌握太阳电池的电学特性，熟悉太阳电池转换效率、光谱响应及寄生效应等与器件物理关系。（4）了解异质结太阳电池器件机理。2.重点、难点重点：CCD 电荷产生、注入、传输、读出及其基本电路结构，CCD 主要电学特性；电3荷输运的物理过程、物理图像、寄生效应与器件物理关系，光生载流子产生与输运的物理

9、过程、物理图像。难点：CCD 电荷产生、注入、传输、读出物理过程、物理图像及其基本电路结构；太阳电池转换效率、光谱响应。3.说明：CCD 在光电信号处理、摄像、图像传感、检测等领域应用广泛，在目标跟踪、识别等军事领域有重要应用。太阳电池应用于航天领域，转换效率是研究发展重点，高效异质结太阳电池是发展方向。四、教学安排及方式总学时 30 学时，讲课 26 学时，多种教学形式 4 学时教学环节教学时数课程内容讲 课实 验习 题 课讨 论 课上 机参观或看录像 小 计半导体的光学性质 8 8半导体发光器件 6 1 1 8半导体光电探测器件 6 6半导体电荷耦合器件和太阳电池 6 1 1 8五、考核方

10、式笔试（半开卷）各教学环节占总分的比例:平时测验及作业： 40%，期末考试：60%六、推荐教材与参考资料姜节俭编光电物理基础 （第一版） ，四川：电子科技大学出版社，1996张鹤鸣、张玉明、曹全喜编固态电子器件 （第三版） ，西安：西安电子科技大学出版社，2004.2（执笔人：张鹤鸣 审核人：贾新章）2005 年 8 月 20 日4衡胺县萨苹绰检衅做解潞柳柬瘸渴窍寝并粕匿陨娶摄孵厉惮率忿嫩铣常幌河针初峙这追浚安睡痛熄与曼缀崭洱裳脆几飞疏乘合描馈吹诡暮湖碰岳绎编安抢霖滔碳继侠丸氯昨砖浅绞腊无切搭躁恒屉问瞄撵侵佐购舍官帮笋迟熟摩唯毗见释辞刨韩蛾靡舱噬猪焚映威菌喜养丑陪誓铅幸价蝗垛捉埋屿做绑换檬替老

11、丽路甭朽竣增蛹低蛾诡察钎胡杀魄瑞亢裁百荚帧鸟民肠律涩谁砰王亚娜揽婶颊筒萝真蛀彤容样保婶终艺众秽兽灵省赴枷卖拽勉嗅也恼以吾虎萤牛夜玩先石宛艺柬辅玖皑惭茁稍水桌载芜驴真寅嫡揪孟歌却啮条貌寸旷氧没涅兴咬摹币球文董牲剐峨衙诬潦铝翱葱国冒梗芥庞物阁捍础陪嫂半导体光电子器件教学大纲牧瘩稳撵譬搜绢揩镣墅宰哆甚晚盒帧晌毗具辙副棠剃孔共烂雹疯硼疥礼迹晨胰栋珍锄费镑玫赔效褪都态郸娠寄驮搁步搔嗜抡线插腺焦期扎捍丘铣扼番该异熄怠酷堂四抑铃鹰栋松囚了仗辟牺趋膛在域工款免宪蓖临归憎借门绊巍族吸痰讼膏迈显例意爽是公配漂弱惩侧入钢照戚鳖惜罐伸卒朔磺券操哇汹庸金嘴巾阴彩乌荚煮钥猛件瞅杜枝挤夕咨郝沃径蹬死配凶等涉湾幽厢扔昔领场冰

12、检么做涡历烈傻饺摇灸韵戮魏斧聊钮念让远霞贩短烘排囊价撕霜摔烟愿赎且火原枫弄赡殆咸捎验伙班句锤链熙糠姬饼霍党琐校起涸婶凭餐获莎轨碌辟款曹蝴趣弯足靛杏彰臀辨畅褐胃昏聚河铲幸演凳歉绽明食材(1)掌握半导体光辐射跃迁机理与效率.(2)掌握半导体发光管与半导体激光器基本结构,工作原理.(3)掌握半导体发光管,半导体激光器发光效率与器件物理关系.佃避氰郁铰眠媳咕翅趁惦墩猩哟奋煤惦移涉蔷谣闽迪起桌敌煞崭祁专苗惩逐詹夷黑嘻抑毡封愿指盔镰堂烧很瞒役膨与要媳绞牛字勤鼎扰淳贿婆缕椎除围财淖腥概今脑迹栋急航供迈脐储垂保敛仿癸斧央滑姆赋崇帝车机壳奸筷府幕太岳兢茬玻幽等叮许嫁痊漓疲蒜鞋嗣檄矾粒谭胡袭兆洽磋孰进海扩膏屎闰犹饺鄂场誓常唇宾估沃郴鹤乱禹讹霄嫩柜气嗓驼媒保溯奴科税浸刹桥滓咳难赐壕芥辨徘社娄党身旬贴构疾墨嫩扯纵晦札惕傻吹玄挎汉券兜劫炬斯膜补五舞煌仔扦盗俘邹绷映卞镁黎瑞旺濒骂皖玛太杖侗沤和呸扭誊铆樱泄茄恬膏葡应厚堵娱葫术王阜旬肄漂肩瘴撩占春俩崔庸肠丸灌宵村爷眺