1、 平时成绩 30% + 考试成绩 70% 名词解释（2x5=10）+ 简答与画图（8x10=80 ）+ 计算（1x10=10）名词解释p 型和 n 型半导体漂移和扩散简并半导体异质结量子隧穿耗尽区阈值电压CMOS欧姆接触肖特基势垒接触简答与画图1. 从能带的角度分析金属、半导体和绝缘体之间的区别。2. 分析 pn 结电流及耗尽区宽度与偏压的关系。3. 什么是 pn 结的整流（单向导电）特性？画出理想 pn 结电流-电压曲线示意图。4. BJT 各区的结构有何特点？为什么？5. BJT 有哪几种工作模式，各模式的偏置情况怎样？6. 画出 p-n-p BJT 工作在放大模式下的空穴电流分布。7.
2、MOS 二极管的金属偏压对半导体的影响有哪些？8. MOSFET 中的沟道是多子积累、弱反型还是强反型？强反型的判据是什么？9. 当 VG 大于 VT 且保持不变时，画出 MOSFET 的 I-V 曲线，并画出在线性区、非线性区和饱和区时的沟道形状。10. MOSFET 的阈值电压与哪些因素有关？11. 半导体存储器的详细分类是怎样的？日常使用的 U 盘属于哪种类型的存储器，画出其基本单元的结构示意图，并简要说明其工作原理。12. 画出不同偏压下，金属与 n 型半导体接触的能带图。13. 金属与半导体可以形成哪两种类型的接触？MESFET 中的三个金属-半导体接触分别是哪种类型？14. 对于一
3、耗尽型 MESFET，画出 VG=0, -0.5, -1V（均大于阈值电压）时的 I-V 曲线示意图。15. 画出隧道二极管的 I-V 曲线，并画出电流为谷值时对应的能带图。16. 两能级间的基本跃迁过程有哪些，发光二极管及激光器的主要跃迁机制分别是哪种？计算Pn 结的内建电势及耗尽区宽度T=300KSi: , GaAs: , , , Si: GaAs: , 1. 计算一砷化镓 p-n 结在 300K 时的内建电势及耗尽区宽度，其 NA10 18cm-3 和 ND10 16cm-3 =1.29V=0.596m2. 一砷化镓单边突变结，其 NA10 19cm-3，N D=1015cm-3，计算在
4、反向偏压 20V 时的最大内建电场(T 300K) =5.238m=7.64104V/cm3. 对一砷化镓突变结，其中 NA210 19cm-3，N D810 15cm-3，计算零偏压和反向偏压 4V 时的结电容(T300K) =1.34V=0.48m(0V), 0.96m(-4V)=2.2910-8F/cm2(0V), 1.1410-8F/cm2(-4V)4. 对于硅 p+-n 单边突变结，其 ND510 17cm-3，计算其击穿电压。设其临界电场为 6.2105 V/cm =2.53V5. 已知在一理想晶体管中，各电流成分为：IEp=4mA、I En=0.02mA、I Cp=3.95mA、
5、I Cn=0.002mA。求共射电流增益 0 及 ICEO 的值。 =0.983 ICBO=0.34A=57.8=20A6. 一 p-n-p 硅晶体管其射、基、集电极掺杂浓度分别为51018cm-3、210 17cm-3 和 1016cm-3。器件截面积为0.2mm2，基区宽度为 1.0m，射基结正向偏压为 0.5V。其射、基、集电极中少数载流子的扩散系数分别为52cm2/s、40cm 2/s 和 115cm2/s，而寿命分别为 10-8s、10 -7s 和 10-6s。求晶体管的共基电流增益。 =4.66102cm-3=7.210-4cm=18.6 cm-3=0.14310-4A=1.031
6、0-7A=0.9931. 试画出 VG=VT 时， n 衬底的理想 MOS 二极管的能带图。 2. 一 NA=51016cm-3 的金属-SiO 2-Si 电容器，请计算表面耗尽区的最大宽度。 3. 假设氧化层中的氧化层陷阱电荷呈三角形分布， ot(y)=q51023y（C/cm 3），氧化层的厚度为 10nm。试计算因 Qot 所导致的平带电压变化。 4. 一 n 沟道的 n+多晶硅 -SiO2-Si MOSFET，其 NA=1017cm-3，Qf/q=510 10cm-2，d=10nm，试计算其阈值电压。 5. 针对上题中的器件，硼离子注入使阈值电压增加至+0.7V，假设注入的离子在 Si
7、-SiO2 的界面处形成一薄片负电荷，请计算注入的剂量。 6. 将铜淀积于 n 型硅衬底上，形成一理想的肖特基二极管，若m=4.65eV，电子亲和力为 4.01eV，N D=31016cm-3，而 T=300K。计算出零偏压时的势垒高度、内建电势、耗尽区宽度以及最大电场。 7. 若一 n 沟道砷化镓 MESFET 的势垒高度Bn=0.9eV，N D=1017cm-3，a=0.2um，L=1um ，且Z=10um。此器件为增强还是耗尽模式器件？ 8. 一 n 沟道砷化镓 MESFET 的沟道掺杂浓度 ND=21015cm-3，又Bn=0.8eV，a=0.5um，L=1um， n=4500cm2/(Vs)，且 Z=50um。求出当 VG=0 时夹断电压、阈值电压以及饱和电流。
