Xilinx内嵌快存储器的使用.doc

1、Xilinx 公司提供了大量的存储器资源，包括了内嵌的块存储器、分布式存储器以及 16 位的移位寄存器。利用这些资源可以生成深度、位宽可配置的 RAM、 ROM、FIFO 以及移位寄存器等存储逻辑。其中，块存储器是硬件存储器，不占用任何逻辑资源，其余两类都是 Xilinx 专有的存储结构，由 FPGA 芯片的查找表和触发器资源构建的，每个查找表可构成 16 1 位的分布式存储器或移位寄存器。一般来讲，块存储器是宝贵的资源，通常用于大数据量的应用场合，而其余两类用于小数据量环境。1块存储器的组成和功能介绍在 Xilinx FPGA 中，块 RAM 是按照列来排列的，这样保证了每个 CLB 单元周

2、围都有比较接近的块 RAM 用于存储和交换数据。与块 RAM 接近的是硬核乘加单元，这样不仅有利于提高乘法的运算速度，还能形成微处理器的雏形，在数字信号处理领域非常实用。例如，在 Spartan 3E 系列芯片中，块 RAM 分布于整个芯片的边缘，其外部一般有两列 CLB，如图 4-120 所示，可直接对输入数据进行大规模缓存以及数据同步操作，便于实现各种逻辑操作。图 4-120 Spartan3E 系统芯片中块 RAM 的分布图块 RAM 几乎是 FPGA 器件中除了逻辑资源之外用得最多的功能块，Xilinx 的主流 FPGA 芯片内部都集成了数量不等的块 RAM 硬核资源，速度可以达到数百

3、兆赫兹，不会占用额外的 CLB 资源，而且可以在 ISE 环境的 IP 核生成器中灵活地对 RAM 进行配置，构成单端口 RAM、简单双口 RAM、真正双口RAM、ROM（在 RAM 中存入初值）和 FIFO 等应用模式，如图 4-121 所示。同时，还可以将多个块 RAM通过同步端口连接起来构成容量更大的块 RAM。图 4-121 块 RAM 组合操作示意图1）单端口 RAM 模式单端口 RAM 的模型如图 4-122 所示，只有一个时钟源 CLK，WE 为写使能信号， EN 为单口 RAM 使能信号，SSR 为清零信号，ADDR 为地址信号，DI 和 DO 分别为写入和读出数据信号。图 4

4、-122 Xilinx 单端块 RAM 的示意模型单端口 RAM 模式支持非同时的读写操作。同时每个块 RAM 可以被分为两部分，分别实现两个独立的单端口 RAM。需要注意的是，当要实现两个独立的单端口 RAM 模块时，首先要保证每个模块所占用的存储空间小于块 RAM 存储空间的 1/2。在单端口 RAM 配置中，输出只在 read-during-write 模式有效，即只有在写操作有效时，写入到 RAM 的数据才能被读出。当输出寄存器被旁路时，新数据在其被写入时的时钟上升沿有效。2）简单的双端口 RAM简单双端口 RAM 模型如图 4-123 所示，图中上边的端口只写，下边的端口只读，因此这

5、种 RAM 也被称为伪双端口 RAM（Pseudo Dual Port RAM）。这种简单双端口 RAM 模式也支持同时的读写操作。图 4-123 Xilinx 简单双端口块 RAM 的示意模型块 RAM 支持不同的端口宽度设置，允许读端口宽度与写端口宽度不同。这一特性有着广泛地应用，例如：不同总线宽度的并串转换器等。在简单双端口 RAM 模式中，块 RAM 具有一个写使能信号 wren 和一个读使能信号 rden，当 rden 为高电平时，读操作有效。当读使能信号无效时，当前数据被保存在输出端口。当读操作和写操作同时对同一个地址单元时，简单双口 RAM 的输出或者是不确定值，或者是存储在此地

6、址单元的原来的数据。3）真正双端口 RAM 模式真正双端口 RAM 模型如图 4-124 所示，图中上边的端口 A 和下边的端口 B 都支持读写操作，WEA、WEB信号为高时进行写操作，低为读操作。同时它支持两个端口读写操作的任何组合：两个同时读操作、两个端口同时写操作或者在两个不同的时钟下一个端口执行写操作，另一个端口执行读操作。图 4-124 Xilinx 真正双端口块 RAM 的示意模型真正双端口 RAM 模式在很多应用中可以增加存储带宽。例如，在包含嵌入式处理器 MiroBlaze 和 DMA 控制器系统中，采用真正双端口 RAM 模式会很方便；相反，如果在这样的一个系统中，采用简单双

7、端口RAM 模式，当处理器和 DMA 控制器同时访问 RAM 时，就会出现问题。真正双端口 RAM 模式支持处理器和 DMA 控制器同时访问，这个特性避免了采用仲裁的麻烦，同时极大地提高了系统的带宽。一般来讲，在单个块 RAM 实现的真正双端口 RAM 模式中，能达到的最宽数据位为 36 比特*512，但可以采用级联多个块 RAM 的方式实现更宽数据位的双端口 RAM。当两个端口同时向同一个地址单元写入数据时，写冲突将会发生，这样存入该地址单元的信息将是未知的。要实现有效地向同一个地址单元写入数据，A 端口和 B 端口时钟上升沿的到来之间必须满足一个最小写周期时间间隔。因为在写时钟的下降沿，数

8、据被写入块 RAM 中，所以 A 端口时钟的上升沿要比 B 端口时钟的上升沿晚到来 1/2 个最小写时钟周期，如果不满足这个时间要求，则存入此地址单元的数据无效。4）ROM 模式块 RAM 还可以配置成 ROM，可以使用存储器初始化文件（.coe）对 ROM 进行初始化，在上电后使其内部的内容保持不变，即实现了 ROM 功能。5）FIFO 模式FIFO 即先入先出，其模型如图 4-125 所示。在 FIFO 具体实现时，数据存储的部分是采用简单双端口模式操作的，一个端口只写数据而另一个端口只读数据，另外在 RAM（块 RAM 和分布式 RAM）周围加一些控制电路来输出指示信息。FIFO 最重要

9、的特征是具备“满（FULL）”和“空（EMPTY）”的指示信号，当 FULL信号有效时（一般为高电平），就不能再往 FIFO 中写入数据，否则会造成数据丢失；当 EMPTY 信号有效时（一般为高电平），就不能再从 FIFO 中读取数据，此时输出端口处于高阻态。图 4-125 Xilinx FIFO 模块的示意模型2块 RAM IP Core 的使用块 RAM 已在本书第 3 章有过介绍，这里就不再赘述。3ROM 存储器 IP Core 的使用对于 ROM 模块，主要是生成相应的.coe 文件。下面以一个实例介绍如何借助 MATLAB 生成 ROM 的.coe文件。例 4-8 生成定点正余弦波形

10、数值，形成 .coe 文件并加载到块 ROM 中。整体过程主要分为下面的 3 步。首先，利用 MATLAB 计算出正余弦波形的浮点值，并量化 16 比特的定点波形数值：x= linspace(0,6.28,1024); /在区间0,6.28 之间等间隔地取 1024 个点y1=cos(x); /计算相应的正余弦值y2=sin(x);/由于正余弦波形的值在0,1 之间，需要量化成 16 比特，先将数值放大y1=y1*32678;y2=y2*32768;/再将放大的浮点值量化，并写到存放在 C 盘的文本中fid = fopen(c:/cos_coe.txt, wt);fprintf(fid, %1

11、6.0fn, y1); /在写文件的时候量化成 16 比特fclose(fid)fid = fopen(c:/sin_coe.txt, wt);fprintf(fid, %16.0fn, y2);fclose(fid)其次，生成 coe 文件。在 C 盘根目录下，将 cos_coe.txt 和 sin_coe.txt 的后缀改成.coe，打开文件，把每一行之间的空格用文本的替换功能换成逗号“,”，并在最后一行添加一个分号“;”。最后在文件的最开始添加下面两行：memory_initialization_radix=10;memory_initialization_vector =然后保存文件退

12、出。最后，将 coe 文件加载到 BLOCKROM 所生成的 ROM 中。新建一个 BLOCKRAM 的 IP core，其位置为“Memories & Storage Elements RAMs & ROMS Block Memory Generator v2.4”，在第一页选择 single port rom，在第二页选择位宽为 16、深度为 1024，在第三页下载 coe 文件，如图 4-126 所示，然后双击“Finish”，完成 IP core 的生成。如果 coe 文件生成的不对，图中用椭圆标志之处是红色的，coe 文件错误的类型主要有数据基数不对和数据的长度不对这两类。图 4-126 块 ROM 加载 coe 文件的用户配置界面