1、1现代电源技术综合实验指导书黄海宏 张学 李文生 朱元付编 杜少武审合肥工业大学电气与自动化工程学院2012 年 8 月 18 日2现代电源技术综合实验包括三部分:单端隔离型高频开关电源实验部分;隔离型桥式 DC/DC 实验部分;变频调速实验部分。这三个部分在实验箱电路板上有明显的区域标识,并且三个部分相互独立。3实验 1 单端隔离型高频开关电源实验一实验目的1.了解单端反激式开关电源的主电路结构、工作原理;2.掌握单端反激式变压器设计和绕制方法;3.学会开关电源调试的基本方法。二实验原理 Ui-+ RLVDVT+*CN12T图 1 单端反激式隔离变换器电路拓扑单端反激式隔离变换器图 1 所示
2、。当 VT 导通时,输入电压 Ui 便加到变压器 T 的初级绕组 N1 上,根据变压器 T 对应端的极性,次级绕组 N2 为下正上负,二极管 VD 截止,次级绕组 N2 中没有电流流过。当 VT 截止时,N 2 绕组电压极性变为上正下负,二极管 VD 导通,此时,VT 导通期间储存在变压器(电感)中的能量使通过二极管 VD 向负载释放。本次实验输入为工频交流 220V,经过工频隔离变压器将电压降到交流35V,再经过二极管整流和大电解电容滤波变成约 48V 的直流电压。采用UC3842 作为 PWM 控制芯片,驱动功率 MOSFET,控制高频变压器的原边通电,副边采用15V 和+15V 三路输出
3、,其中+15V 输出作为反馈端,实现电压稳压输出。 AC20V 输 出工 频变 压 器 二 极 管整 流 滤 波 功 率MOS管 高 频变 压 器 整 流滤 波UC38423842外围 电 路 电 压 反 馈图 2 单端隔离型高频开关电源电路框图技术指标:输入:交流 220V15%输出:+15V/0.2A,15V /0.4A(实验者可调整)MOSFET 开关频率:100kHz(实验者可调整)实验者可观测的数据和波形:交流输入电压波形、二极管整流后电压波形、电容滤波后电压波形、MOSFET 的漏源极电压波形、输出电压波形、UC3842 的锯齿波振荡器波形、UC3842 的输出驱动波形。实验者可调
4、整的参数:可改变反馈电压分压比进而改变输出电压数值;可改变 RCD 吸收电路参数观测 MOSFET 的漏源极电压波形变化情况;可改变功率 MOSFET 的驱动电阻4数值参数观测 MOSFET 的漏源极电压波形变化情况;可改变 UC3842 的锯齿波振荡器电阻值,观测 UC3842 的输出驱动波形频率的变化情况。三实验设备单端隔离型反激式变换器实验板 1 块(已含在实验箱内)DF1731 直流稳压电源 1 台示波器 1 台数字万用表 1 块小一字螺丝刀 1 把四实验电路原理分析1.PWM 控制芯片 UC3842 简介UC3842 是一种单端输出控制电路芯片,其内部结构框图如图 3 所示。5.0V
5、参 考 电 压 VC欠 压 锁 定Vref欠 压 锁 定1mA振 荡 器 锁 存脉 宽调 制 器RR误 差放 大 器电 流 检 测内 部偏 置 SRT 36V3.6V 1.0VVC7653输 出地输 出 补 偿反 馈 T/CVref8421 电 流 检 测比 较 器图 3 UC3842 内部结构框图该芯片电源电压范围 30V,输出电流峰值1A,输出电流(连续)200mA,模拟输入(2 脚、3 脚)从 0 到 2.6V,误差放大器下拉电流 5mA,振荡频率范围 100Hz500Hz,振荡器定时电阻(R T)500RT150k,振荡器电容(CT)1000pFCT1F。UC3842 的管脚功能如下:
6、1 脚:输出补偿端。该管脚为误差放大器输出,并可用于环路补偿。2 脚:电压反馈端。该管脚为误差放大器的反相输入端,通常通过一个分压器连接至开关电源的输出,构成电压闭环。3 脚:电流取样端。一个正比于所控电流的电压接至该引脚,利用电流测定、电流测定比较器构成电流闭环。当该引脚电压1.0V 时,PWM 控制芯片封锁输出脉冲。4 脚:R T/CT 端。用于外接振荡电阻和电容,将电阻 RT 跨接在 4 脚与 8 脚(V ref)两端,电容 CT 接在 4 脚与电源地之间。当 RT5k时,振荡频率为:OSC86.1f55 脚:接地端。是控制电路与电源的公共地。6 脚:脉冲输出端。该输出可直接驱动功率 M
7、OSFET,具有 1A 的驱动(拉、灌)能力。7 脚:电源供电端。启动门限电压为 16V,最低工作电压为 10V。8 脚:基准电压输出端。该引脚输出 5V 基准电压,具有 50mA 的带载能力,该电源通过 RT 向 CT 提供充电电流。VREF8RT/CT4VFB2VCC7OUT 6C/S 3CP1GND5D1UC3842R115kR71kR5 150kR3 3.6kR415kR2 10kC4104C71000pC5100pC6470pR1151/0.5WGNDGNDGNDGND+C925V10uRP1 10kR1251/0.5WRP7 1kR2210kGND为为为为为为为为为为为为图 4 U
8、C3842 及外围电路原理图整流后的直流电压经 R1 分压后向 C9 充电,当 C9 电压16V 时,达到UC3842 7 脚的启动电压门槛值,芯片开始工作:4 脚输出锯齿波,其频率可通过电位器 RP1 调节;6 脚输出方波驱动功率 MOSFET 工作,以控制变压器的原边通电。当输出高电平时,MOSFET 开通。2.整流输出电路R131.5kT2-1VD1FR104VD9MBR3100+C1025V100u C8104VD11为为为为1GND+15V_1R141.5kVD7FR304+C1350V100u C1104T2-4 VD12为为为为2R151.5kVD8FR304+C1450V100
9、u C2104T2-2 VD13为为为为3. 123X2为为1-15V+15V+C1525V100u+C1625V100uC12104C11104Vin1 GND2Vout 3V37915Vin1GND2Vout 3V2 7815123X3为为2F50.5AF60.5AF70.5A12J5为为为为12J6为为为为12J7为为为为1 2J8为为为为R1025W100 R1035W100R1045W100R1055W100123456789101112J22为为为为1234J21为为为为为为为为图 5 变压器副边输出电路原理图变压器副边采用+15V 和15V 三路输出,选择+15V 输出 1(X2
10、)作为反馈6端,15V 输出 2(X3)是变压器另两个绕组 T2-4、T2-2 的输出电压,经过7815 和 7915 稳压输出。变压器开始向负载传递能量时,+15V 输出 1 作为反馈端开始工作:反馈电压向 C9 充电将 UC3842 的 7 脚电压钳制住保持不变;反馈电压经 R3 和电位器RP7 分压后输入 UC3842 的 2 脚的误差放大器,与芯片内部 2.5V 基准电压作比较来调整驱动脉冲宽度,从而改变输出电压以实现反馈绕组电压稳压输出,由此可知调节图 4 中的电位器 RP7 可以改变反馈输出端的输出电压。3.电压尖峰抑制电路R830/5WC17103/200VR1151/0.5WV
11、1IRFP460GNDVD2FR104R1251/0.5W1 2J1为为为为为为R210.22/2WR930/5WC18103/200V1 2J2为为为为1 2J3为为为为1 2J4为为为为J2 J3 J4为为RCD为为1 2 3 4J29DS为为为为为为为为为为为为图 6 DS 波形尖峰抑制电路图 6 所示是驱动电阻和 RCD 缓冲电路部分,此部分设计用来抑制MOSFET 漏源极电压波形尖峰即 DS 波形尖峰。通过 J1 可改变驱动电阻数值,通过 J2J4 的组合可改变 RCD 的 R、C 参数。五 调试引脚说明:X1:输入端 X1 稳压电源 48V 输入,注意红正黑负,如下图所示。X2:是
12、变压器反馈绕组 T2-1 稳压后 15V 输出端子。X3:是变压器两个绕组 T2-4、T2-2 的输出电压经过 7815 和 7915 后的稳压输出7端子。J16:J16 的 GND 和 AC 可用于观察输入交流电压波形和电压值,其中 GND 接示波器探头的地;如下图所示。同理,GND 和 DC 可用于观察经整流和滤波之后的直流电压波形和电压值;GND 和 CT 可用于观察芯片 UC3842 的 4 脚的锯齿波输出;GND 和 OUT 可用于观察芯片 UC3842 的 6 脚波形输出(MOS 管驱动波形) 。J21:可用于观察反馈绕组端输出电压。 (见图 5)J22:1 端和 12 端为变压器
13、副边输出电压观测端,分别对应两个绕组 T2-4、T2-2 的输出电压,3 端和 9 端是变压器两个绕组 T2-4、T2-2 的输出电压经过 7815和 7915 稳压输出。 (可参照图 5 的原理图)J29:为 MOSFET 漏源极电压波形尖峰观测端,即 DS 波形尖峰观测端。可以通过一些短路块的调整,来观测 DS 波形尖峰的变化(可参考图 6):1) J1 用于调节驱动电阻,接上短路块后并联一电阻使总驱动电阻变小;2) J4 接短路块时,表示 RCD 缓冲电路接入电路,但缓冲电路内部只有 R8 和C17 起作用; J4、J3、J2 均接短路块,内部 R8、R9、C17 和 C18 起作用,缓
14、冲电路的总电阻变小,总电容变大。8J5、J6、J7 、 J8 为负载选择端:J5 、J6 端接上短路块表示反馈绕组端接上负载;J7,J8 端接上短路块表示变压器副边另两个绕组 T2-4、T2-2 端输出接上负载(参考图 5) 。六实验步骤1.反激式变压器设计设计一个安匝连续的反激变压器(1)决定设计反激变压器有关的电源参数。输入电压 Ui:487V输出电压 Uo:15V满载电流 Io:0.2A电路拓扑 反激连续模式开关频率 fs:100kHz设定占空比 D:在48V输入时0.4最大纹波电流 I:0.03A(次级),55V输入变压器效率 :80%输出功率 =18W0P峰值短路电流 Isp:6.4
15、74A(次级) 次级电感 L:18.23H (D=0.4, I=0.03A)最大损耗(绝对):2.0W最大温升 40冷却方式 自然对流(2)初步计算:Uo等于输出电压加上整流器、功率开关、线圈和电感电阻压降,在额定Ui =48V和设定的占空比为0.4时匝比为: io1Dn应首先计算低U i时占空比D 、交流和直流分量。低输入电压时的占空比为:maxioU线圈取整后,占空比要相应发生变化,电流推迟到后面计算。(3)部分参数计算: , ,且有 ,0iPmin41V21ipPLIf,两式相除的 ,由此解得 。1minaxpLIUDT21minaxpLIfUDT1pI9根据公式得初级短路峰值电流: 1
16、.3sppI另有: , 。21npI2.spI由: ,得02()UDfL02-DpULIf( )初级电流:I 1L=I0/n(4)用产品手册选择磁芯材料:磁芯材料为铁氧体,Philips 3C90。100时,饱和磁感应为0.32T。(5)决定磁芯工作的最大磁通密度和最大磁通密度摆幅。如右图,采用磁芯比损耗为100W/cm3时,工作频率f =100kHz对应的B值约为120mT。电感安匝连续模式,饱和限制了最大磁通密度B max0.12T(3000高斯)。因此,在峰值短路时,B 将达到B max 。假定加了气隙的=0.12T磁芯的B H 特性线性度好,B max与电流纹波(在55V)将是:max
17、SP2.3.56647I将峰峰值磁通密度摆幅除以2是0.03T(300高斯)。在3C90 材料磁芯损耗曲线上查300高斯,纹波频率100kHz 时比损耗近似为100mW/cm 3。比经验值100mW/cm 3小得多,磁芯损耗可忽略不计。因此,在I SP6.474A时达到B max,而 I=0.045A时B max仅为0.0028T 。(6)选取B max=0.3T,反激变压器 K1=0.008543SP21LmaxIA磁芯类型选择:查表得磁芯 EI22 的磁芯 AP= , 如果选择 EI2240.125cm容易引起磁饱和。因此选择 EE25 磁芯,其 AP 为 0.3515cm4,裕量充分,查
18、表得 EE25 磁芯 的磁芯参数为:有效截面积 Ae:0.429cm 2体积 Ve:4.17cm 3磁路长度 le:4.95cm中柱直径 C:0.655cm,D:0.655cm窗口面积 Aw:0.8194cm 2(7)根据需要的电感量计算次级匝数(LH;尺寸cm):2max10eINB根据匝比求得初级匝数:图7 不同频率下比损耗与峰值磁感应强度的关系(100)40102030(mT)10210320kHz10kHz525kHzmW/c31012Nn(8)根据要求的电感量计算所需的气隙长度(L H;尺寸cm):g4g0AL(9)计算 100kHz 时的穿透深度76.5f(10)计算导线尺寸次级线
19、圈:U o=41V,1D max=0.56。输出电流:I o=0.2A平均峰值电流: 2amax1I电流有效值: 22ax()IDI选择电流密度为4A/mm 2,导线截面为0.267/=0.066mm 2,次级线圈可以选用AWG30号导线绕制,每股导线截面0.06785mm 2。初级线圈:U i=41V, 0.44。max=因为初级和次级的平均安匝总是相等的,一起驱动电感磁芯。因此平均峰值电流:I 1a=I2a/n有效值电流: 21ax1D峰值短路电流: .3spp另有: ,21npI2.sI由: ,得02()UfL02-DpULIf( 1)初级电流: 1I=0n选择电流密度为4A/mm 2,
20、导线截面为0.13/4=0.0325mm 2,初级线圈可以选用AWG33号导线绕制, 每股导线截面 0.03662mm2。T2-4 和 T2-2 端匝数按类似方法计算。设计变压器时采用不同匝比可得到不同输出电压值,由于稳压块 7815 和 7915 的启动电压在 17V-30V 之间,因此绕制变压器时 T2-4 和 T2-2 的匝数与 T2-1(+15V )的不同。单排插针 J22 的 1脚和 9 脚用来测变压器 T2-4、T2-2 端输出电压值,本实验中取此值约为 25V,最后输出端稳定输出15V 电压。2.变压器绕制方法:设变压器原边匝数为 n1,副边+15V(反馈端)匝数为 n2,15V 匝数为n3。1为拿到变压器骨架后首先确定 1,2,3,4,5,6,7 脚2为1(原边) ,4,6,7 脚为同名端
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