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1、第一章 8086程序设计第二章 MCS-51程序设计第三章 微机基本系统的设计第四章 存贮器与接口第五章 并行接口第六章 计数器、定时器与接口第七章 显示器与键盘接口第八章 串行通信及接口第九章 数模转换器和模数转换器接口,本章知识点,常用存贮器*微处理器与存贮器的连接* 存贮器信息的断电保护*,本章知识点,常用存贮器*微处理器与存贮器的连接* 存储器信息的断电保护*,常用存贮器,只读存储器,只读存储器,只读存贮器（ROM）的信息在制造时或通过一定的编程方法写入，在系统中通常只能读出不能写入；在断电时，其信息不会丢失；它用来存放固定的程序及数据，如监控程序、数据表格等。,只读存储器,只读存储器

2、,EPROM能够重复编程光檫除，整片一起檫除写入数据的字节数无限制用编程器编程,EPROM 2764 8K X 8字节存储器,只读存储器,2764 工作方式,只读存储器,由于 EPROM 的擦或写均需专用设备，在使用时即使只要求修改一个或少数几个数据也需要将其从系统中取出，编程后再装入系统，,只读存储器,光擦除的EPROM用于存放程序或固定的数据，通常只需采用其读出工作方式;-CE 为片选信号;-OE 为程序存储器的读信号。,只读存储器,EPROM AT27C256R 32K X 8字节存储器,只读存储器,27C256R工作方式,只读存储器,只读存储器,只读存储器,E2PROM能够重复编程电檫

3、除，在写入的同时檫除字节与页（64字节）的写入方式写入包括了数据锁存与编程编程时间10mS可在系统中编程,E2PROM AT28C256 32K X 8字节存储器,只读存储器,只读存储器,AT28C256的工作方式,E2PROM AT28C256的数据读出类似于静态RAM（SRAM）的数据读出，只需提供地址信号和读控制信号即可。当-CE和-OE为低，-WE为高时，存储在由地址信号决定的存储单元内的数据呈现在数据输出端。,只读存储器,AT28C256的数据写分为字节写入和页写入两种模式。在器件内包含了一个64字节的页寄存器，允许最多写入64个字节（一页）的数据。写入操作包括数据锁存和编程2个过程

4、，写周期最大为10ms。在写入操作的同时，原先的数据即被擦除。AT28C256不需提供额外的高编程电压，外部只需提供5V的电压即可。,只读存储器,只读存储器,在字节写入模式时，一个字节的数据先被锁存，接着进行编程操作。当-OE为高时，如-CE为低、-WE输入一负脉冲或-WE为低、-CE输入一负脉冲，写周期开始。-CE和-WE相或，其下降沿锁存地址信号，上升沿锁存数据信号。字节写周期开始后，时序自动控制编程操作完成。,只读存储器,在页写入模式时，允许1到64个字节的数据在一个编程周期写入。页写入操作的开始类似于字节写入，在第一个字节的数据锁存后，接着输入1-63个额外的字节，每个接着的字节必须在

5、前一个字节结束后的150 s（字节装入周期）之内。如超过字节装入周期的规定时间，AT28C256将终止数据写入，并开始内部编程操作。,只读存储器,只读存储器,Flash Memory能够重复编程电檫除，在写入的同时檫除整页（64字节）的写入方式写入包括了数据锁存与编程编程时间10mS可在系统中编程,只读存储器,Flash Memory AT29C256 32K X 8字节存储器,只读存储器,AT29C256的工作方式,只读存储器,AT29C256的编程基于整页操作方式，即先通过写操作将64字节（一页）的内容装入器件，然后同时编程。因此，编程操作包括了数据装入和编程两个部分。,只读存储器,AT2

6、9C256的整页编程方式要求在一页中的一个数据需修改，整个页的数据必须都装入器件。在编程时，一页中未装入的数据将为不确定数据。,随机存取存储器,随机存取存储器,随机存取存贮器可根据需要写入或读出数据。随机存取存储器可以分为静态RAM、铁电存储器（FRAM）及动态RAM。,随机存取存储器,随机存取存储器,SRAM能够重复编程电檫除，在写入的同时檫除字节与页（64字节）的写入方式写入包括了数据锁存与编程编程时间10mS可在系统中编程,随机存取存储器,SRAM 6264 8K X 8字节存储器,随机存取存储器,6264的工作方式,随机存取存储器,静态 RAM用于存放数据或作为程序运行时工作单元，因此

7、在使用时不仅需利用它的读出方式，还需用到它的写入方式CS信号为片选信号-OE为存储器读出控制信号-WR为存储器写入控制信号,随机存取存储器,随机存取存储器,FRAM 信息在掉电后不会丢失读写时序与SRAM相同,随机存取存储器,FRAM F1608 8K X 8位存储器,随机存取存储器,F1608的工作方式,随机存取存储器,铁电存储器与静态RAM时序的差异是: FRAM的片选-CE信号具有双重作用，第一是锁存写入数据的地址，第二是在-CE为高电平时产生必要的内存预充电时间。因此在设计接口时，不能像静态RAM一样将-CE引脚接地。,随机存取存储器,随机存取存储器,对于大容量的存储器采用动态RAM较

8、经济，其功耗小于同样容量的静态RAM，存取速度也较快。但它需要刷新电路，每隔一定的间隔需对其刷新，使各个单元的信息得到保持。和静态RAM不同的是，动态RAM除了读写操作外，还需定时刷新。,随机存取存储器,IS41C16256 262144 X 16位 高性能CMOS 同步随机存储器,行与列地址的输入形式数据的刷新,随机存取存储器,本章知识点,常用存贮器*微处理器与存贮器的连接* 存储器信息的断电保护*,微处理器与存贮器的连接,EPROM 2764、27C256E2PROM 28C256Flash Memory 29C256 SRAM6264FRAM1608,微处理器与存贮器的连接,微处理器与存

9、贮器的连接,数据信号与数据总线的连接地址信号的译码读控制信号 数据、程序存储器统一编址， 数据读信号 数据程序存储器分别编址， 数据读、程序存储器选中信号数据写入控制信号-WR,微处理器与存贮器的连接,数据程序存储器统一编址程序存储器 指令的读出用读信号-RD 程序的写入用写信号-WR数据存储器 指令的读出用读信号-RD 数据的写入用写信号-WR,程序存储器,数据存储器,读信号-RD,写信号-WR,微处理器与存贮器的连接,微处理器与存贮器的连接,数据程序存储器分别编址程序存储器 指令的读出用程序存储器读信号 程序的写入用数据写信号-WR数据存储器 指令的读出用数据读信号-RD 数据的写入用数据

10、写信号-WR,微处理器与存贮器的连接,读信号-RD,写信号-WR,程序存储器,数据存储器,程序存储器选中,89C51扩展2片6264地址0000H、2000H地址分离采用74LS373数据线驱动采用74LS245,微处理器与存贮器的连接,微处理器与存贮器的连接,74LS373,74LS245,本章知识点,常用存贮器*微处理器与存贮器的连接* 存储器信息的断电保护*,存储器信息的断电保护,SRAM与FRAM具有同样的读写时序在微机系统中采用FRAM不必考虑断电保护问题在微机系统中采用SRAM应考虑断电保护问题,存储器信息的断电保护,利用静态RAM的低电压保持信息的功能，对这些静态RAM采用后备电

11、源供电。 静态RAM 6116，6264都具有这一功能。当 VCC大于2V，而片选信号 -CSVCC0.2V时，能以极小的功耗保持其存贮的信息，此时流过电路的电流仅1100A。,存储器信息的断电保护,存储器信息的断电保护,正常供电,存储器信息的断电保护,在正常供电时，D1导通，D2截止，电池不起作用。6116或6264的电源电压为5V减去二极管的压降。三极管的导通与否受到译码器输出的控制。当译码器输出为低电平时，三极管导通，该存贮器被选中。当译码器输出为高电平时，三极管截止，该存贮器未选中。,断电,存储器信息的断电保护,在断电时，D1截止，D2导通，由电池供电，6116或6264的电源电压为电池电压减去二极管的压降。三极管的基极电压为零，因而此三极管截止，存贮器的片选端与VCC端电压相等，这时仅用几个A就能保持其信息。,存储器信息的断电保护,正常供电时充电,存储器信息的断电保护,采用虚线框内的D3及R1，则电池可改为充电电池。这样在正常供电时，由电源通过D3及R1对电池充电，而在断电时，由电池供电，以保证长时间使用,存储器信息的断电保护,本章小结,常用存贮器的性能微处理器与存贮器的连接 存贮器信息的断电保护,