1、半导体二极管的伏安特性曲线半导体二极管的核心是 PN 结，它的特性就是 PN 结的特性单向导电性。用实验的方法，在二极管的阳极和阴极两端加上不同极性和不同数值的电压，同时测量流过二极管的电流值，就可得到二极管的伏一安特性曲线。该曲线是非线性的，如图1-13所示。正向特性和反向特性的特点如下。1正向特性当正向电压很低时，正向电流几乎为零，P89LPC954FBD 这是因为外加电压的电场还不能克服 PN 结内部的内电场，内电场阻挡了多数载流子的扩散运动，此时二极管呈现高电阻值，基本上还是处于截止的状态。如图1 - 13所示，正向电压超过二极管开启电压 Uon（又称为死区电压）时，电流增长较快，二极
2、管处于导通状态。开启电压与二极管的材料和工作温度有关，通常硅管的开启电压为 Uon=0.5V(A 点)，锗管为 Uon=0.1 V(A点)。二极管导通后，二极管两端的导通压降很低，硅管为0. 60.7 V，锗管为 0.20.3 V 如图1-13中 B、B点。2反向特性在分析 PN 结加上反向电压时，已知少数载流子的漂移运动形成反向电流。因少数载子数量少，且在一定温度下数量基本维持不变，因此，厦向电压在一定范围内增大时，反向电流极微小且基本保持不变，等于反向饱和电流 Is。当反向电压增大到 UBR时，外电场能把原子核外层的电子强制拉出来，使半导体内载流子的数目急剧增加，反向电流突然增大，二极管呈现反向击穿的现象如图1-13中 D、D点。二极管被反向击穿后，就失去了单向导电性。二极管反向击穿又分为电击穿和热击穿，利用电击穿可制成稳压管，而热击穿将引起电路故障，使用时一定要注意避免二极管发生反向热击穿的现象。二极管的特性对温度很敏感。实验表明，当温度升高时，二极管的正向特性曲线将向纵轴移动，开启电压及导通压降都有所减小，反向饱和电流将增大，反向击穿电压也将减小。
