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1、1/43,集成电路工艺原理,仇志军邯郸校区物理楼435室,2/43,大纲,第一章 前言第二章 晶体生长第三章 实验室净化及硅片清洗第四章 光刻第五章 热氧化第六章 热扩散第七章 离子注入第八章 薄膜淀积第九章 刻蚀第十章 后端工艺与集成第十一章 未来趋势与挑战,3/43,上两节课总结,焦深:,4/43,SiO2与Si之间完美的界面特性是成就硅时代的主要原因,硅工艺中的一系列重要硅基材料：,SiO2：绝缘栅/绝缘/介质材料； Si3N4：介质材料，用作钝化/掩蔽等； 多晶硅：可以掺杂，导电； 硅化物：导电，作为接触和互连,5/43,TEM照片单晶硅表面热氧化所得非晶二氧化硅薄膜,6/43,SiO

2、2的基本性质,通常热氧化生长的SiO2是非晶的熔点：1732 C (晶体结构)重量密度：2.27 g/cm3原子密度：2.21022 分子/cm3折射率 (refractive index) n=1.46介电常数 (dielectric constant) 3.9,7/43,可以方便地利用光刻和刻蚀实现图形转移 可以作为多数杂质掺杂的掩蔽 (B, P, As, Sb) 优秀的绝缘性能 ( 1016 cm, Eg9 eV) 很高的击穿电场 (107 V/cm) 体电学性能稳定 稳定、可重复制造的Si/ SiO2界面,SiO2的基本性质,8/43,SiO2的结构,按结构特点分为结晶型 (cryst

3、alline)：石英，水晶等非晶型（无定型amorphous）,由SiO四面体组成 四面体中心是硅原子，四个顶角上是氧原子 四面体之间由Si-O-Si连接 与两个硅连接的氧原子称为桥联氧或氧桥,9/43,结构,水晶,二氧化硅,10/43,热氧化生长，水存在的情况：Si:O:Si Si:O:H+ H:O:Si掺杂杂质：取代Si的位置， 网络形成体（B，P） 占据间隙位置，网络变性体 （金属原子Na, K）,含杂质的SiO2结构,11/43,SiO2在IC中的应用,12/43,不同方法制作的SiO2的性质对比（定性）,13/43,0.8 nm栅氧化层,离子注入掩蔽,隔离工艺,互连层间绝缘介质,14

4、/43,氧化反应方程式（Overall reaction）,这两种反应都在700 C1200 C之间进行水汽氧化比干氧氧化反应速率约高10倍,Si(s) + O2(g) SiO2(s),Si(s) + 2H2O(g) SiO2(s) + 2H2(g),干氧氧化（Dry oxidation),湿氧（Wet）/水汽氧化（Steam oxidation）,15/43,氧化生长消耗硅,体积膨胀2.2倍1 mm厚SiO2消耗0.45 mm Si,SiO2受压应力作用,16/43,LOCOS中，氧化硅的体积为所消耗的硅体积的2.2倍,17/43,SiO2生长动力学,18/43,DealGrove模型硅的热

5、氧化模型,DealGrove模型（线性抛物线模型）(linear-parabolic model)可以用固体理论解释的一维平面生长氧化硅的模型。适用于：氧化温度7001200 oC；局部压强0.125个大气压；氧化层厚度为202000 nm的水汽和干法氧化,19/43,Deal-Grove 模型,F1：气体输运流量,F2：通过SiO2的扩散流量,F3：在界面处的反应流量,F: number/(cm2-s)C：number/cm3,CG：气相区氧化剂浓度；CS：氧化物外表面氧化剂浓度；CO：氧化物内表面氧化剂浓度；CI：氧化物生长界面氧化剂浓度,Cs Co,20/43,可求得,令h=hg/HkT

6、，C*=HkTCG=HPG，则,21/43,22/43,在稳态条件下，应有,ksx/D1时，扩散控制,ksx/D1时，氧化从线性过渡到抛物线性，对应的氧化层厚度在50200 nm,23/43,若N1是指形成单位体积（ cm3）SiO2所需要的氧化剂分子数即对于O2氧化，N12.21022 cm-3对于H2O氧化， N14.41022 cm-3 ,求得生长速率,令B2DC*/N1，A=2D(1/ks+1/h),则B/AC*ks/N1，有,h特别大，忽略了1/h项,24/43,为了讨论方便，上式改写为,B 2DC*/N1抛物线速率常数，表示氧化剂扩散流F2的贡献B/A C*ks/N1线性速率常数，

7、表示界面反应流F3的贡献,式中,薄氧化硅时，线性速率常数B/A,两种极限情况,厚氧化硅时，抛物线速率常数B,25/43,实验法提取B和B/A的值,t有实验值可供使用.,26/43,平坦没有图案的轻掺杂衬底上，在单一O2或H2O气氛下，SiO2厚度大于20 nm时，GD模型能很好地描述氧化过程。B和B/A可以用Arrhenius表达式表达：,氧化剂的扩散：,界面反应速率：,表中数值为Si（111）在总压强为1 atm下的速率常数，对于（100），则C2应除以1.68,O2通过95 C H2O冒泡氧化,H2+O2后端反应生成H2O氧化,27/43,28/43,D-G模型的计算值：干O2气氛中的热氧

8、化,100200 nm常用,700-1100 C, 25 atm , 1 mm / hr,疏松， 扩散阻挡能力较差 刻蚀掩膜和场氧化,xi0,30/43,DG模型小结,氧化速率为,这个方程是在下列条件下的氧化动力学的一般表达式：平坦、无图形的平面硅的氧化轻掺杂硅的氧化单一O2或H2O的氧化初始氧化硅的厚度大于20 nm,31/43,对于超薄热干氧化，G-D模型无法准确描述，实验表明在20 nm之内的热氧化生长速度和厚度比G-D模型大的多。,超薄热氧化的模拟,23nm,D-G (= 0),D-G (= 40hr),32/43,Model of Massoud et al：,C=C0exp(-EA

9、/kT)C03.6108 mm/hrEA 2.35 eVL 7 nm,SUPREM IV使用模型,目前机理不明，仍无公认的模型来解决这个问题！,33/43,影响氧化速率的因素,压强对氧化速率的影响晶向对氧化速率的影响掺杂对氧化速率的影响掺氯对氧化速率的影响,34/43,实验表明：对于H2O氧化，氧化硅生长速率正比于PG，而O2的氧化无法完全用线性关系描述。,在水汽氧化时：,在氧气氧化时：,n0.70.8。上标i表示1 atm下的相应值,压强对氧化速率的影响,如果要达到给定的氧化速率，增加气压，则氧化温度可以降低如果在同样温度下生长一个给定的氧化层厚度，增加气压，则氧化时间可以减少。,35/43

10、,36/43,晶向对氧化速率的影响,化学反应速率常数ks与晶向有关。因此线性速率常数B/A与晶向有关。在适当温度(111)晶向硅的B/A为(100)硅的1.68倍，（110）晶向为1.45倍的（100）晶向值。抛物线速率常数B与晶向无关。高温长时间氧化，抛物线速率常数B起主要作用，晶向影响减弱。,37/43,衬底取向对氧化速率影响的原因,B与晶向无关（B/A)111= 1.68（B/A)100,ks0是常数，与单位晶面上能与氧化剂反应的硅价键数成正比。,38/43,（100）Si，in H2O at 900 C for 30 min,39/43,掺杂对氧化速率的影响,900 C时干氧氧化速率随

11、表面磷浓度的变化。反应速率限制情况。,n：反应速率限制，B/A起主要作用，氧化速率取决于硅表面的掺杂浓度,40/43,（12）Si2OI2VSiO22I应力,空位V：N型非本征重掺杂中V远高于轻掺杂,氧化反应,P型掺杂效应不明显!,41/43,掺氯对氧化速率的影响,掺氯能增大B/A和B。Si-O键能4.25 eV, Si-Cl键能0.5 eV, Cl2先与Si反应生成氯硅化合物，然后再与氧反应生成SiO2，起催化作用Cl-还可以中和界面的电荷堆积,减少界面态,B,B/A,Dry O2 + 1-3% Cl; Cl is a metal getter cleaner oxide.,42/43,B/

12、A 及 B 和 工 艺 参 数 的 关 系,43/43,本节课主要内容,压强、晶向、掺杂浓度、掺氯压强越高，氧化速率越快。水汽氧化线形关系，干氧化指数关系。,（111）晶向氧化最快，（100）最慢。ks与硅价键密度有关。B不受晶向影响，厚氧化层，晶向作用下降。,20 nm以下的干氧化，D-G模型计算厚度远小于实际厚度。修正方法：附加一个随厚度增加而指数衰减项。,可以增加反应速度，减少界面固定电荷和界面态（电荷中和作用），可以实现对碱金属离子的吸杂作用,哪一种晶向的硅氧化速率最快，哪种最慢？为什么？,影响氧化速率的因素有那些？氧化速率和压强有什么样的关系？,对于非常薄的氧化层，应用Deal-Grove模型计算厚度和实际厚度有何不同？如何修正？,掺氯氧化工艺对提高氧化膜质量有哪些作用？,