1、硅工艺加工技术,报告人：宁 瑾,内容,工艺线概况,1,单项工艺介绍,2,Si nMOSFET 器件加工工艺,3,小结,4,工艺线概况,2004年建立。24英寸硅加工工艺线，加工能力可达1微米。具备完整的硅加工能力，可以制备微电子器件和电路、光电器件以及MEMS器件。可加工的衬底材料包括Si、SOI (Silicon on Insulator)、SOS (Silicon on sapphire)和SiC。成功制备出SOI和SOS抗辐射MOS器件和电路，Si基JFET器件，SiC基MESFET器件，SiC谐振器和滤波器等。,Si nMOSFET器件加工工艺,p-Si,栅氧SiO2,LPCVD生长多
2、晶硅,离子注入形成源漏,PECVD SiO2,ICP刻蚀,金属淀积Al，ICP刻蚀形成电极,PECVD Si3N4,单项工艺介绍,清洗：C处理，有机溶剂超声清洗 光刻 金属淀积 干法刻蚀 高温氧化 LPCVD PECVD 离子注入及快速退火 激光划片,清洗工艺,RCA清洗：H2SO4/H2O2/H2O 1号清洗液：NH4OH/H2O2/H2O 2号清洗液：HCL/H2O2/H2O 有机溶剂超声清洗：无水乙醇 丙酮 清洗甩干机：2寸和4寸标准样片,光刻工艺介绍,EVG光刻机，4英寸的标准衬底，正面光刻和背面光刻，分辨率达到1微米，对版精度1微米。 卡尔休斯光刻机，衬底最大2英寸，可完成非标准尺寸
3、衬底的光刻，正面光刻，分辨率1微米，对版精度1微米。 能完成1微米细线条的剥离工艺。 光刻胶：普通光刻胶(国产390），高温胶（S9912），厚胶（AZ4260）， 反转胶(AZ5214/AZ5200),金属淀积工艺,工艺设备：磁控溅射，电子束蒸发和热蒸发 磁控溅射：Ti、Au、Al、TiN 电子束蒸发：Al 热蒸发：Cr、Au、Ni 电镀：Au、Cu,ICP刻蚀工艺,98A ICP刻蚀机：Si、Si3N4、多晶硅、SiO2。 刻蚀气体：CHF3、SF6、O2。 98C ICP刻蚀机：Al 刻蚀气体：cl2、Bcl4 去胶机： O2等离子体去除光刻胶,高温氧化工艺,H2、O2合成氧化工艺，87
4、5oC 精确控制氧化层厚度，质量高，与衬底间界面态密度小，尤其适于制备MOS器件的栅氧化层。 氧化速率较低，不适于制备超过1微米的厚氧化层，对样片的洁净度要求高，只做流程的第一步工艺。,LPCVD工艺,多晶硅：硅烷，630oC 硼掺杂：硅烷和硼烷，630oC 氮化硅：硅烷和氨气，870oC 样片：2寸和4寸,PECVD工艺,SiO2：硅烷和笑气（N2O), 320oC，折射率在1.46-1.48之间 Si3N4: 硅烷和氨气（NH4), 320oC，折射率在1.9-2.0之间,离子注入及快速退火,离子注入：硼、磷、砷等 注入能量：30keV-200keV 高温快速退火：N2气氛保护，1050oC,小 结,Si 、SOI和SOS微电子器件加工平台 清洗、光刻、栅氧化、LPCVD、PECVD、离子注入及退火、金属淀积、激光划片 MEMS器件加工平台 LPCVD生长氮化硅 牺牲层的淀积、退火和释放 体硅腐蚀 氮化硅湿法腐蚀 双面光刻 SiC器件加工平台 1微米细金属线条的剥离工艺 SiC材料的ICP干法刻蚀工艺 SiC的高温氧化工艺 金属淀积与合金工艺：Ni、Ti、Cr、Au和TiN SiC材料的离子注入和退火工艺,Thank You !,
