1、,电力整流管,1）简化模型下的通态特性,（1）平衡pin,（2）正向偏置电压下的pin,4 、PIN二极管通态特性,电力整流管,1）简化模型下的通态特性,（3）pin的正向特性,（忽略体压降）,电力整流管,2） 通态特性的准确计算,基区体压降 结压降正向压降 正向压降的主要影响因素,内容,电力整流管,基区体压降VM求解思路,利用连续性方程求出基区的载流子浓度,电流密度表达式,I区电场表（E )表达式,VM的表达式,电力整流管,边界条件：,VM求解过程,电力整流管,VM求解过程,I区电场强度，对其积分可求得VM,电力整流管,VM求解过程,VM式中，第一项为欧姆电压降产生的电场分量;第二项为是电子
2、和空穴迁移率不等产生的浓度分布不对称形成的电场分量。,电力整流管,欧姆电压降随d/La的增加而迅速增大。 dLa时，称为“短”结构PIN二极管。对于d3La的情况，则与上述相反，称为“长”结构二极管。,电力整流管,VPI+VNI求解,PN结结定律,电力整流管,VF=?,d/La,F(d/La),电力整流管,3）VF的主要影响因素分析,当（d/La）的值为1时，通态压降最小，当（d/La）超过3时，通态压降迅速增加。少子寿命的增加可以降低体压降，但载流子间的散射、俄歇复合及注入效率又影响着I区的电导调制效应。,电力整流管,4）降低二极管正向压降的途径,（1）控制基区宽度、提高少子寿命,VM随d/La增大而增大，降低VF必须降低d/La比值。PIN二极管以d=La划分为“长”或“短”结构。La随注入载流子浓度增加而下降，在器件设计时，应尽可能地使d/La在高电流密度时保持较小的值。这样，即使在浪涌电流(103A/cm2)时，器件仍有如一个短结构二极管一样。同时，器件又能保持具有高压结构的所谓“长”结构二极管的特点。,（2）降低接触压降,复合中心法,金属与半导体的高掺杂接触,蒸金,烧结前硅表面的喷砂打毛,
