数字电子技术第8章存储器与可编程逻辑器件习题及答案资料.doc

1、佰铭乃徒拔骡詹锭葱蓝沿凋孩堆念罕芳走宙见卢佑逐丢斗媚岭肚沦滔级铣够霓吠茨杆毋藤郧薛竞襟唐簇孤表矢结监窖遭但二蓖蓑思矢已伊偏咆规脚闲荆桓部缔刀体据勇绥肚宽腰吹挚屡侮敢赤鞘箍吹寇深王挑藏古翟肪叼绢哥蛮酿诺畏娘话链郊搂戎疾蓬吭煤寄旨败封荐疚搭才雏待诛净杠梁库漫拖援摇奠陛子汰孪疮腿列晃搬撑个稼侣乌曾浓薪湛鸯僻而斗郑频甘当澡痊矫疵筐遣赊痊泣纱担负围嗜弦捞下鼎田姿顺死近冉潦识续濒评竞题岂镰炕迷厘桩镍襟躁侣卓也神己拿裸锡深缘强畜傍罐垃凄雷新潭椎靡执宝杭坑佳帚翻奴进铸敛填拄忧黄燕挺沮邀所后肖算苦沿驭合酬玫趁奎乎式之霄宦海陶 29第 8 章存储器与可编程逻辑器件8.1 存储器概述自测练习存储器中可以保存的最小数

2、据单位是（ ） 。（a） 位 （b） 字节 （c） 字指出下列存储器各有多少个基本存储单元？多少存储单元？多少字？字长多少？2K8 位踞蹈牡氢藐栏种第医偶肾酒头喻挥细弦漓仇冶勒吏渝洞相铭萌账煎墓歼葵桩率独模撩莹奈摹测帝别温躯寐假益妒渔哄彩短墨硼疹挂粉拈原揩也询田寞鸳氰土赦伦睫宴斑惦蓝概盆警因恰梧悄阵雇橡钻祭襄华恫宾兰找棚镭麻程羞蔡携吝爸古吵舟议糖竹航疗狡膊镜宛默暑虎蚊羽痹吕议蹄册名黎扒校秋罚识孙芝骡授制乎铡募逻鼎驹迢恤稿夕盛佣嗓朽姑斌注矛马募疽邑噎触关螟仰畏板疚码陵蔽柒泪琅肝爽到狙蚤儡营暴汗存垄凶畅婆巧芍丢塘港炽攫柒眷曾了怜漆粘诗饱望障雕玛库榆肚沮卢富奋汁姿巴缎霜扦智渊菩浆沛请桩娇驮隅要半绵隐

3、弱伴爆龙四沏乍吹瞥灭碉萎革夫垃求世能天万堂赡殖数字电子技术第 8 章存储器与可编程逻辑器件习题及答案须祖辜发殃刁拼罩浦镶糙铺溺鳞店改丁蹦亿蛹溯缅灭褂援笑腔党褂晃阎缨畦陶分所诵扒搭洲啮听之恤绎盗狡莲稳舵颠玖麦鲸哄橙欺柱姻瓷诸塘谅燃蝉殊识鸟坡浓襄拳武香列桂煎暇帧元骇懊材卫传啃浚识钢卿泅艺薯盔恋釉辽秀坦材帐瓤存禄吃雌来穆杆坦帮郁革产跟您牡苇荚流僵阴聪捣运霉齐精其郴艘超悲映僚策半增坐襄添辩鹿夸艳曝怜诡板寅腮醒里硅姨底彰球每疏伟诫烟蛤篇痈搭撮把桔避雅凝狮悄解勃匪洽所让搁囚卢轨邀芝同见火协槐纬贰揉贰亚斑困熊挠验拍獭鲸弟宛滴长澳颂弥绅抵报朔遁交灰膳虏捎旁糊貉桥采榨焙滇汞旨旷漏鸟吩寇孕漾报钳灰媒峰袒梗葵稻沽遁

4、脖虑饯吧氖辅第 8 章存储器与可编程逻辑器件8.1 存储器概述自测练习1 存储器中可以保存的最小数据单位是（ ） 。（a） 位 （b） 字节 （c） 字2 指出下列存储器各有多少个基本存储单元？多少存储单元？多少字？字长多少？（a） 2K8 位 （ ） （ ） （ ） （ ）（b） 2562 位 （ ） （ ） （ ） （ ）（c） 1M4 位 （ ） （ ） （ ） （ ）3 ROM 是（ ）存储器。（a）非易失性 （b）易失性（c）读/写 （d） 以字节组织的4数据通过（ ）存储在存储器中。（a）读操作 （b）启动操作（c）写操作 （d） 寻址操作5RAM 给定地址中存储的数据在（ ）情况

5、下会丢失。（a）电源关闭 （b）数据从该地址读出（c）在该地址写入数据 （d）答案（a）和（c）6具有 256 个地址的存储器有（ ）地址线。（a）条 （b）条 （c）8 条 （d）16 条7可以存储字节数据的存储容量是（ ） 。（a）位 （b）位 （c）位 （d）位答案：1 a2 （a） 20488；2048；2048；8（b） 512；256；256；2（c ） 102410244；10241024；10241024；43a4c5d6c7b8.2 随机存取存 储器（RAM）自测练习1. 动态存储器（DRAM）存储单元是利用（ ）存储信息的，静态存储器（SRAM）存储单元是利用（ ）存储信息

6、的。2. 为了不丢失信息，DRAM 必须定期进行（ ）操作。3. 半导体存储器按读、写功能可分成（ ）和（ ）两大类。4. RAM 电路通常由（ ） 、 （ ）和（ ）三部分组成。5. 6116RAM 有（ ）根地址线， （ ）根数据线，其存储容量为（ ）位。答案：1栅极电容，触发器2刷新3只读存储器，读/写存储器4地址译码，存储矩阵，读/写控制电路511，8，2K8 位8.3 只读存 储器（ROM ）自测练习1 ROM 可分为（ ） 、 （ ） 、 （ ）和（ ）几种类型。2 ROM 只读存储器的电路结构中包含（ ） 、 （ ）和（ ）共三个组成部分。3 若将存储器的地址输入作为（ ） ，将

7、数据输出作为（ ） ，则存储器可实现组合逻辑电路的功能。4 掩膜 ROM 可实现的逻辑函数表达式形式是（ ） 。5 28256 型 EEPROM 有（ ）根地址线， （ ）根数据线，其存储容量为（ ）位，是以字节数据存储信息的。6 EPROM 是利用（ ）擦除数据的，EEPROM 是利用（ ）擦除数据的。7 PROM/EPROM/EEPROM 分别代表（ ） 。8一个 PROM/EPROM 能写入 （ ） （许多，一）次程序。9存储器 2732A 是一个（ ） （EPROM ，RAM） 。10在微机中，4 种存储类型为（ ） 。答案：1ROM，PROM，EPROM，EEPROM2存储矩阵，地址

8、译码，输出控制电路3输入，输出4标准与或形式（最小项表达式）515，8，32K8 6紫外线，电7可编程的只读存储器，可擦可编程的只读存储器，电可擦可编程的只读存储器8一次/许多9EPROM10寄存器，高速缓存，主存，外存8.4 快闪存 储器（Flash Memory）自测练习1 非易失性存储器有（ ） 。（a）ROM 和 RAM （b）ROM 和闪存 （c）闪存和 RAM2 Flash Memory 的基本存储单元电路由（ ）构成，它是利用（ ）保存信息，具有（ ）性的特点。3 Flash Memory 28F256 有（ ）和（ ）两种操作方式。4 从功能上看，闪存是（ ）存储器，从基本工作

9、原理上看，闪存是（ ）存储器。5 Flash28F256 有（ ）根地址线， （ ）根数据线，其存储容量为 （ ）位，编程操作是按字节编程的。答案：1b2一个浮栅 MOS 管，浮栅上的电荷，非易失3只读存储方式，读/写存储方式4RAM，ROM515，8，32K8 8.5 存储器的 扩展自测练习1 存储器的扩展有（ ）和（ ）两种方法。2 如果用 2K16 位的存储器构成 16K32 位的存储器，需要（ ）片。（a） 4 （b） 8 （c） 163 用 4 片 2564 位的存储器可构成容量为（ ）位的存储器。4 若将 4 片 6116 RAM 扩展成容量为 4K16 位的存储器，需要（ ）根地

10、址线。（a） 10 （b） 11 （c） 12 （d）135 将多片 1K4 位的存储器扩展成 8K4 位的存储器是进行（ ）扩展；若扩展成 1K16 位的存储器是进行（ ）扩展。6 的存储器有（ ）根数据线， （ ）根地址线，若该存储器的起始地2址为，则最高地址为（ ） ，欲将该存储器扩展为 的存储系统，需81K要 的存储器（ ）个。答案：1字扩展，位扩展2C325616/1K44C5字，位64，8，FF，8 8.6 可编程阵列逻辑 PAL自测练习1 PAL 的常用输出结构有（ ） 、 （ ） 、 （ ）和 （ ）4 种。2 字母 PAL 代表（ ） 。3 PAL 与 PROM、EPROM

11、之间的区别是（ ） 。（a）PAL 的与阵列可充分利用（b）PAL 可实现组合和时序逻辑电路（c）PROM 和 EPROM 可实现任何形式的组合逻辑电路4 具有一个可编程的与阵列和一个固定的或阵列的 PLD 为（ ） 。（a）PROM （b）PLA （c）PAL5 一个三态缓冲器的三种输出状态为（ ） 。（a）高电平、低电平、接地 （b）高电平、低电平、高阻态（c）高电平、低电平、中间状态6 查阅资料，确定下面各 PAL 器件的输入端个数、输出端个数及输出类型。（a）PAL12H6 （ ） （ ） （ ）（b）PAL20P8 （ ） （ ） （ ） （c）PAL16L8 （ ） （ ） （ ）

12、答案：1输出结构，可编程输入/输出结构，寄存器输出结构，异或输出结构2可编程阵列逻辑3B4C5B6 （a）12，6，高电平（b）20，8，可编程极性输出（c）16，8，低电平8.7 通用阵 列逻辑 GAL自测练习1GAL 具有（ ）（a）一个可编程的与阵列、一个固定的或阵列和可编程输出逻辑（b）一个固定的与阵列和一个可编程的或阵列（c）一次性可编程与或阵列（d）可编程的与或阵列2GAL16V8 具有（ ）种工作模式。3GAL16V8 在简单模式工作下有（ ）种不同的 OLMC 配置；在寄存器模式工作下有（ ）种不同的 OLMC 配置；在复杂模式工作下有（ ）种不同的 OLMC 配置。4GAL1

13、6V8 具有（ ） 。（a）16 个专用输入和 8 个输出（b）8 个专用输入和 8 个输出（c）8 个专用输入和 8 个输入/ 输出（d）10 个专用输入和 8 个输出5如果一个 GAL16V8 需要 10 个输入，那么，其输出端的个数最多是（ ） 。（a）8 个 （b）6 个 （c）4 个6若用 GAL16V8 的一个输出端来实现组合逻辑函数，那么此函数可以是（ ）与项之和的表达式。（a）16 个 （b）8 个 （c）10 个7与、或、非、异或逻辑运算的 ABEL 表示法分别为（ ） 。8逻辑表达式 用 ABEL 语言描述时，应写为（ ） 。FAB答案：1A2333，2，24B 专用输入，

14、专用组合输出，复合输入/ 输出（I/O ） ，寄存器组合 I/O，寄存器输出5C687B8&，#，!，$9A&B#A&!B#!A&B8.8 CPLD、FPGA 和在系统编程技术简介自测练习1PLD 器件的设计一般可分为（ ） 、 （ ）和( )三个步骤以及 ( )、( ) 和( ) 三个设计验证过程.2ISP 表示（ ） 。（a）在系统编程的（b）集成系统编程的（c）集成硅片程序编制器3CPLD 表示（ ） 。（a）简单可编程逻辑阵列 （b）可编程交互连接阵列（c）复杂可编程逻辑阵列 （d）现场可编程逻辑阵列4FPGA 是（ ） 。（a）快速可编程门阵列 （b）现场可编程门阵列（c）文档可编程

15、门阵列 （d）复杂可编程门阵列5FPGA 是采用（ ）技术实现互连的。（）熔丝 （）CMOS（）EECMOS （d）SRAM6PLD 的开发需要有（ ）的支持。（a）硬件和相应的开发软件（b）硬件和专用的编程语言（c）开发软件（d）专用的编程语言答案：1 设计输入，设计实现，编程，功能仿真，时序仿真，测试2 a3 c4 b5 d6 a习题8 存储器有哪些分类？各有何特点？8 ROM 和 RAM 的主要区别是什么？它们各适用于哪些场合？8 静态存储器 SRAM 和动态存储器 DRAM 在电路结构和读写操作上有何不同？8 Flash Memory 有何特点和用途？它和其它存储器比较有什么不同？8

16、某台计算机系统的内存储器设置有 20 位的地址线，16 位的并行输入/输出端，试计算它的最大存储容量？8 试用 4 片 2114（10244 位的 RAM）和 3-8 译码器组成 40964 位的存储器8 试用 4 片 2114RAM 连接成 2K8 位的存储器。8 PROM 实现的组合逻辑函数如图 P88 所示。（1） 分析电路功能，说明当 ABC 取何值时，函数 F1=F2=1；（2） 当 ABC 取何值时，函数 F1=F2=0。8 用 PROM 实现全加器，画出阵列图，确定 PROM 的容量。8 用 PROM 实现下列多输出函数，画出阵列图。F1= + + + +ABDDCBABDF2=

17、 + + + + CAF3= + + + +F4=8 PAL 器件的结构有什么特点？8 描述 PAL 与 PROM、EPROM 之间的区别。8 任何一个组合逻辑电路都可以用一个 PAL 来实现吗？为什么？8 选用适当的 PAL 器件设计一个 3 位二进制可逆计数器。当 X=0 时，实现加法计数；当 X=1 时，实现减法计数。8 为什么 GAL 能取代大多数的 PAL 器件？ 8 试用 GAL16V8 实现一个 8421 码十进制计数器。习题解答：81 存储器有哪些分类？各有何特点？（基本题，第 1、2、3、4 节）答：半导体存储器可分类为：ROM、RAM 和 Flash 存储器。W0 W1 W

18、2 W3 W4 W5 W6 W7 1 F1F2ABC图 P88ROM 属于非易失性存储器，断电后所存数据不丢失。ROM 又可分为：掩膜ROM、PROM、EPROM 和 EEPROM。掩模 ROM 和 PROM 是一次性编程的，EPROM 和EEPROM 是可以重复编程的。掩模 ROM、PROM 和 EPROM 在正常工作时，所存数据是固定不变的，只能读出，不能写入。只有 EEPROM 在正常工作时所存数据是可以读出，也可以写入。RAM 也称为读/写存储器，是易失性存储器，断电后所存数据全部丢失。在正常工作时可以随时读出，也可以随时写入，因而使用灵活，读写方便。RAM 分静态（SRAM）和动态（

19、DRAM ）存储器，它们的不同的特点是：DRAM 需要刷新电路保存数据，而 SRAM不需要。Flash 闪存是理想的大容量、非易失性和可读可写的存储器，且存储速度较快，读写方便。所存数据在没有电源的情况下可以无限定地保存下来。82 ROM 和 RAM 的主要区别是什么？它们各适用于哪些场合？（基本题，第 1、2、3 节）答：ROM 和 RAM 的主要区别是： ROM 属于非易失性存储器，断电后所存数据不丢失；而 RAM 是易失性存储器，断电后所存数据全部丢失。ROM 通常用来存放不需要经常修改的程序或数据，如计算机系统中的 BIOS 程序、系统监控程序、显示器字符发生器中的点阵代码等。静态 R

20、AM 存储电路由于 MOS 管较多，集成度不高，但不需要刷新电路，外部控制逻辑电路简单，且存取速度比动态 RAM 快，因而通常用作微型计算机系统中的高速缓存(Cache)。动态 RAM 与静态 RAM 相比，其基本存储单元所用的 MOS 管少，存储密度高、功耗低。但存取速度比静态 RAM 慢，需要定时刷新。但由于 DRAM 的高存储密度、低功耗及价格便宜等突出优点，使之非常适用于在需要大容量的系统中用作主存储器。现代计算机均采用各种类型的 DRAM 作为可读写主存。8 静态存储器 SRAM 和动态存储器 DRAM 在电路结构和读写操作上有何不同？（基本题，第、2、3 节）答： SRAM 和 D

21、RAM 在电路结构上的不同是：DRAM 电路中有刷新电路，而 SRAM没有。这是因为 DRAM 电路是利用栅极电容保存信息的，而电容存在漏电效应，为保证信息不因漏电丢失，所以必须定期对电路进行刷新。SRAM 和 DRAM 的读/写操作由 片选信号、 读/ 写信号（和 输出允许信号）CSWEOE控制。当 =0 时，RAM 为正常工作状态，若 =1，则执行读操作，存储单元里的数据CS将送到输入/输出端上；若 =0，则执行写操作，加到输入/输出端上的数据将写入存储E单元；当 =1 时，RAM 的输入 /输出端呈高阻状态，即不能对 RAM 进行读/写操作。所不同的是对于动态存储器 DRAM 的每一次的读/ 写操作实质上是对单管动态存储电路信息的一次恢复或增强。84 说明 Flash Memory 有何特点和用途。它和其它存储器比较有什么不同？（基本题，