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1、私立協志工商 99 下 電子電路實習題庫命題教師 賴榮正 班級 資三甲 座號 姓名 選擇題，共 200 題( C ) 1. 小信號操作，其主要目標是 (A) 功率放大 (B) 穩定性佳 (C) 線性放大 (D) 頻率響應佳( B ) 2. 小信號放大電路之直流工作點應設計於負載線之何位置上？(A) 飽和點(B) 中點(C) 截止點(D) 原點( C ) 3. 有關小信號放大電路內的交連電容之敘述，下列何者錯誤？ (A) 可阻隔直流 (B) 可耦合交流信號 (C) 電容抗與輸入信號頻率無關 (D) 電容抗與輸入信號電壓無關( C ) 4. 電晶體基極寬度調變特性，與下列參數何者有關？ (A) r

2、 e (B) r (C) ro (D) g m( A ) 5. 下列何者錯誤？(A) (B) r = (1+)re (C) (D) i c = gmvbe = ib = ieioviRAemg( C ) 6. 電晶體小信號等效輸出電阻 ro=？ (A) r o= (B) r o= (C) r o= (D) r o=CQTIVBQTICQAIVBQAI( A ) 7. 下列有關電晶體小信號等效輸入電阻 r與 re 之敘述，何者錯誤？ (A) r= (B) r e= (C) TETre= (D) reRC (B) RCre (C) R Ere (D) RE CE CB (B) CB CE CC (

3、C) CE CB CC (D) CB CC CE( B )28. 小信號放大電路之輸出電阻大小為？ (A) CC CE CB (B) CB CE CC (C) CE CB CC (D) CB CC CE( C )29. 下列放大器何者可工作於較高頻率？ (A) 共集極放大器 (B) 共射極放大器 (C) 共基極放大器 (D) 以上皆是( D )30. 關於射極隨耦器的說明，下列何者有誤？ (A) 為共集極組態 (B) 電壓增益大約等於 1 (C) 一般用於阻抗匹配 (D) 電流增益大約等於 1( A )31. 小信號放大電路之輸入電阻大小為？ (A) CC CE CB (B) CB CE CC

4、 (C) CE CB CC (D) CB CC CE( A )32. 在電晶體放大器中，具有較低輸出阻抗的是 (A) 共集極放大器 (B) 共射極放大器 (C) 共基極放大器 (D) 以上皆是( B )33. 下列敘述何者錯誤？ (A) 共射極組態中，輸出與輸入信號相位差 180 (B) 共基極組態之頻寬較共射極組態為窄 (C) 共集極組態可作為阻抗匹配之用 (D) 共基極組態中，輸出與輸入信號相同( A )34. 小信號放大電路之電流增益大小為？ (A) CC CE CB (B) CB CE CC (C) CE CB CC (D) CB CC CE( C )35. 某放大電路前級放大電路之增

5、益為 20dB，後級放大電路之增益為 30dB，此放大電路之總增益為？(A) 600dB (B) 20dB (C) 50dB (D) 30dB( D )36. 有關電流增益 Ai(dB)的定義，下列何者正確？ (A) Ai(dB)=10log|2Ai| (B) A i(dB)=20log|Ai2| (C) Ai(dB)=10log|Ai| (D) A i(dB)=20log|Ai|( D )37. 有關電壓、電流、功率增益的關係，下列何者正確？ (A) Ap(dB)=20log|Ai|+20log|Av| (B) Ap(dB)=20log|Av|+10log (C) Ap(dB)=20log|

6、Ai|+log (D) A p(dB)=1iLR1iLR2)dB()(iv( C )38. 一放大電路的輸出功率為 10dBm，則功率為？ (A) 1mW (B) 2mW (C) 10mW (D) 100mW( B )39. 電壓增益為 100 的放大電路，電流增益為 10，則其功率增益為多少？ (A) 100 (B) 1000 (C) 10 (D) 10000( B )40. 某一放大電路之輸入電壓為 10mV，輸出電壓為 1V，則該放大電路的放大倍率為？ (A) 100 分貝 (B) 40 分貝 (C) 20 分貝 (D) 10 分貝( B )41. 設有一放大電路之輸入功率為 10W，而

7、其輸出功率為 100mW，試求其功率增益為多少分貝？ (A) 10dB (B) 20dB (C) 20dB (D) 10dB( C )42. 工程上常以 dB（Decibels）表示放大率，下列有關 dB 的觀念何者錯誤？ (A) 串級放大電路總放大dB 值為每一級放大 dB 值之和 (B) dB201og（倍數） (C) 若放大倍數小於 1，則放大 dB 值1 (D) 若放大倍數等於 1，則放大 dB 值0( C )43. 有關功率增益 Ap(dB)的定義，下列何者正確？ (A) Ap(dB)=10log|2Ap| (B) A p(dB)=20log|Ap2| (C) Ap(dB)=10lo

8、g|Ap| (D) A p(dB)=20log|Ap|( C )44. 已知圖 串級放大電路之電晶體 很大，試以近似求解方法，求各級直流偏壓？ (A) IC1 = 1mA (B) V CE1 = 14V (C) I C2 = 1.7mA (D) V CE2 = 12V( B )45. 同上題，總電壓增益約為？ (A) 15 (B) 23 (C) 50 (D) 72( A )46. 在 RC 耦合串級放大電路中，電容 C 的值必須大的原因是？ (A) 防止低頻衰減 (B) 增加高頻響應 (C) 提高直流穩定度 (D) 提高消散功率( C )47. 下列有關理想電壓放大電路的特性描述何者正確？ (

9、A) 輸入電阻及輸出電阻皆為 0 (B) 輸入電阻為 0，輸出電阻為 (C) 輸入電阻為，輸出電阻為 0 (D) 輸入電阻及輸出電阻皆為( C )48. 有關 RC 耦合串級放大電路之敘述，下列何者正確？ (A) 耦合電容可耦合直流 (B) 耦合電容可阻隔交流信號 (C) 各級直流偏壓不會相互影響 (D) 電壓增益與直流偏壓無關( A )49. 一放大電路的輸出電阻為 5k，欲使 8的揚聲器能與放大電路匹配，則須加變壓器匝數比為？(A) 25 (B) 30 (C) 35 (D) 40( C )50. 有關變壓器耦合串級放大電路之敘述，下列何者錯誤？ (A) 耦合變壓器可阻隔直流 (B) 耦合變

10、壓器可耦合交流信號 (C) 各級直流偏壓會相互影響 (D) 理想變壓器不會消耗功率( D )51. 有關變壓器耦合串級放大電路之敘述，下列何者錯誤？ (A) Av1= (B) A v2=1)/(rRLo(C) R i= (D) R o=2)/(rLo12)(rN23)(oN( A )52. 圖 所示電路，若揚聲器要獲得最大功率，則變壓器圈數比N1：N 2 為何？(A) 5：1 (B) 25：1 (C) 1：4 (D) 1：25( C )53. 達靈頓放大器的電流增益為？ (A) 1 (B) 2 (C) 12 (D) 1+2( D )54. 疊接放大器的主要增益來自於？ (A) 第一級的共射極放

11、大 (B) 第二級的共射極放大 (C) 第一級的共集極放大 (D) 第二級的共基極放大( C )55. 有關直接耦合串級放大電路之敘述，下列何者正確？ (A) 耦合元件為變壓器 (B) 耦合元件為電容 (C) 各級直流偏壓會相互影響 (D) 各級直流偏壓可獨立設計( C )56. 關於疊接放大電路，下列何者為其主要特點？ (A) 低輸入電阻 (B) 低輸出電阻 (C) 高增益頻寬 (D) 高電流增益( B )57. 就達靈頓結構（Darlington-pair）而言？ (A) 輸出電阻低，電流增益等於 1 (B) 輸出電阻低，電流增益甚高 (C) 輸出電阻高，電流增益亦甚高 (D) 輸出電阻高

12、，電流增益小於 1( C )58. 疊接放大電路為何種型態串級放大？ (A) CBCE (B) CE CE (C) CE CB (D) CE CC( D )59. 何種串級放大之低頻響應最好？ (A) RC 耦合串級放大 (B) 變壓器耦合串級放大 (C) 電感耦合串級放大 (D) 直接耦合串級放大( A )60. 某一電路對於各種不同頻率的訊號，做不同的倍數放大，而引起的失真現象，稱為？ (A) 頻率失真 (B) 相位失真 (C) 波幅失真 (D) 交互調變失真( D )61. 積體電路中所採用的放大電路耦合型態為？ (A) 電容耦合 (B) 變壓耦合 (C) 電感耦合 (D) 直接耦合(

13、B )62. 下列何種串級放大電路最易於電阻匹配？ (A) RC 耦合 (B) 變壓器耦合 (C) 直接耦合 (D) 電感耦合( D )63. 一放大電路其輸入是 10sin15t，輸出是 25sin15t+5cos15t，則該放大電路具有？ (A) 頻率失真 (B) 相位失真 (C) 波幅失真 (D) 延遲失真( D )64. 影響放大電路之高頻響應特性的是 (A) 耦合電容與旁路電容 (B) 只有耦合電容 (C) 只有旁路電容 (D) 電晶體極際電容( C )65. 已知單級放大電路之頻寬為 200kHz，若將相同之單級放大電路串接成兩級，則其頻寬約為？(A) 64kHz (B) 100k

14、Hz (C) 128kHz (D) 200kHz( B )66. 諧波失真又稱為 (A) 線性失真 (B) 振幅失真 (C) 相位失真 (D) 頻率失真( D )67. 常用來表示電路頻率響應圖的是？ (A) 威爾遜圖 (B) 高斯圖 (C) 愷爾圖 (D) 波德圖( A )68. 影響放大電路之低頻響應特性的是 (A) 耦合電容與旁路電容 (B) 只有耦合電容 (C) 只有旁路電容 (D) 電晶體極際電容( A )69. 增強型 MOSFET 工作於夾止飽和區時，其輸出電流關係式為 (A) ID=k(VGSVGS(t)2 (B) ID=k(VGSVGS(t) (C) I D=k2(VGSVG

15、S(t) (D) I D= (VGSVGS(t)2k( C )70. 增強式 MOSFET 之 VDS = 4V，元件參數 k = 0.5mA/V2，臨界電壓 VGS(t) = 2V，I D = 2mA，則 VGS 應為？(A) 0V (B) 3V (C) 4V (D) 4.5V( A )71. 已知某一 E-MOSFET 之導通電流 ID = 1mA，若將其通道長度增為 2 倍，寬度增為 2 倍，則導通電流ID =？ (A) 1mA (B) 2mA (C) 4mA (D) 8mA( D )72. 有關場效電晶體（FET）之敘述，下列何者錯誤？ (A) 一般可分成 JFET 及 MOSFET

16、二類 (B) 可分成 N 通道及 P 通道二種 (C) MOSFET 又分成空乏型及增強型二種 (D) 輸入阻抗較雙極性電晶體為低( C )73. 已知 P 通道增強型 MOSFET 工作於夾止飽和區，若 VSG=4V，V SG(t)=2V，參數 k=1mA/V2，則輸出電流 ID=？ (A) 1mA (B) 2mA (C) 4mA (D) 6mA( D )74. 增強型 MOSFET 臨界電壓 VGS(t) = 2V，當 VGS = 4V 時，I D = 2mA，若 VGS = 3V，則 ID 為？(A) 3mA (B) 2mA (C) 1mA (D) 0.5mA( C )75. 增強型 M

17、OSFET 之物理結構參數與通道寬度與長度關係為 (A) k (B) k WL (C) k (D) k( )2LW( A )76. 空乏型 MOSFET 工作於夾止飽和區時，其輸出電流關係式為 (A) ID=IDSS(1 )2 (B) (pGSVID=IDSS(1 ) (C) I D=I2DSS(1 ) (D) I D=k(1 )2(pGSV(pGSV(pGS( B )77. 下列元件，何者同時具有空乏特性與增強特性？ (A) JFET (B) D-MOSFET (C) E-MOSFET (D) BJT( C )78. 有一空乏型 MOSFET 之 IDSS = 12mA，V GS(p) =

18、4.8V，求 VGS = 2.4V 時，I D =？ (A) 1mA (B) 2mA (C) 3mA (D) 4mA( B )79. 下列金氧半場效電晶體元件之電路符號，何者不是 N 通道型式？(A) (B) (C) (D) ( A )80. 已知 P 通道空乏型 MOSFET 工作於夾止飽和區，若 VGS=2V，V GS(p)=3V，參數 IDSS=9mA，則 ID=？(A) 1mA (B) 3mA (C) 4.5mA (D) 9mA( A )81. N 通道空乏型 MOSFET 欲工作於定電流區（夾止飽和區） ，則以下何者正確？(A) VGD VGS(p) 0 (C) V GS(p) VG

19、D 0 (D) VGS(p) VGS(p)時 ID 最大 (C) (D) 其 VGSID 轉移曲線位於第一象限2)(1pGSDSI( C )87. 已知 N 通道 JFET 工作於夾止飽和區，若 VGS=1V，V GS(p)=3V，參數 IDSS=9mA，則輸出電流 ID=？(A) 1mA (B) 3mA (C) 4mA (D) 9mA( B )88. 下列何者不可採用自給偏壓法？ (A) N 通道 D-MOSFET (B) N 通道 E-MOSFET (C) N 通道 JFET (D) P 通道 D-MOSFET( C )89. N 通道 JFET 的特性類同於 (A) N 通道 E-MOS

20、FET (B) P 通道 E-MOSFET (C) N 通道 D-MOSFET (D) P 通道 D-MOSFET( B )90. 下列何者非為正溫度係數？ (A) 金屬之電阻係數 (B) E-MOSFET 之 k 值 (C) BJT 之 值 (D) 累增崩潰之電壓值( B )91. 場效電晶體（FET）是利用？ (A) 磁場 (B) 電場 (C) 電磁場 (D) 壓電之效應控制電流的元件 ( C )92. 以下何者非為 FET 的功用？ (A) 放大 (B) 開關 (C) 整流 (D) 電阻( D )93. 下列敘述何者不正確？ (A) BJT 電晶體為雙極性（bipolar）電晶體 (B)

21、 MOSFET 電晶體為單極性（unipolar）電晶體 (C) 一般 BJT 電晶體的基極輸入阻抗比 MOSFET 電晶體閘極的輸入阻抗小 (D) MOSFET 電晶體為一種電流控制元件( C )94. 以下何者非為 FET 的特性？ (A) 單載子元件 (B) 電場控制元件 (C) 輸入電壓為 0 (D) 易受靜電影響( D )95. 以下何者非為 FET 的優於 BJT 的特性？ (A) 高輸入阻抗 (B) 負溫度特性 (C) 製造密度高 (D) 操作速度較快( A )96. 下列哪一種元件是單靠一種載子來傳送電流？ (A) FET (B) 雙極性電晶體 (C) 二極體 (D) 電阻(

22、B )97. 有關 JFET 的參數，下列何者錯誤？ (A) gm= (1 ) (B) k= (C) g m=|2)(pGSDVI(pGSQ2)(|pGSDVI(D) I DQ=IDSS(1 )2DQk2(pGSQ( C )98. 已知 P 通道 JFET 工作於夾止飽和區，V GS = 2V，夾止電壓 VGS(p) = 3V，飽和電流 IDSS = 9mA，求小信號互導增益 gm =？ (A) 9mA/V (B) 3mA/V (C) 2mA/V (D) 1mA/V( C )99. FET 放大電路哪一端，不可作為輸出端？ (A) 源極 (B) 汲極 (C) 閘極 (D) 任一端皆可( C )

23、100. FET 放大電路之輸入端為源極端，則此電路為何種放大組態？ (A) 共源極（CS ） (B) 共汲極（CD） (C) 共閘極（CG） (D) 視接地腳而定( A )101. JFET 的輸入電阻很大是由於輸入為？ (A) 逆向偏壓 (B) 順向偏壓 (C) 絕緣材質 (D) 未加電壓( B )102. 有關 D-MOSFET 的參數，下列何者錯誤？(A) gm= (1 ) (B) k= (C) gm= (D) ro=|2)(pGSDVI(pGSQ2)(|pGSDVIDQIkDQAIV( B )103. N 通道 E-MOSFET 工作於夾止飽和區，V GS = 3V，V GS(t)

24、= 2V，k = 2mA/V 2，試求小信號互導增益 gm =？(A) 2mA/V (B) 4mA/V (C) 8mA/V (D) 18mA/V( D )104. 下列何者不是 FET 小信號放大組態？ (A) CS 組態 (B) CD 組態 (C) CG 組態 (D) CC 組態( D )105. 因輸出電壓 Vds 變化影響之 FET 通道長度調變特性稱為？ (A) 壓電效應 (B) 電磁感應 (C) 電流調變 (D) 歐力效應( D )106. 有關 E-MOSFET 的參數，下列何者錯誤？ (A) gm=2k(VGSQVGS(t) (B) I DQ=k(VGSQVGS(t)2 (C)

25、gm= (D) r o=DQIk2DQSIV( B )107. 有旁路電容之共源極放大電路，g m=6 、R D=5k及 RS=0.5k，其電壓增益 Av=？A(A) 30 (B) 7.5 (C) 3 (D) 33( C )108. 無旁路電容之共源極放大電路，g m=3 、R D=4k及 RS=1k，其電壓增益 Av=？V(A) 15 (B) 12 (C) 3 (D) 2.4( B )109. 無源極電阻之共源極放大電路，g m=4 及 RD=2k，其電壓增益 Av=？ (A) 8 (B) 8 (C) 16 A(D) 16( C )110. 如圖 所示共源極放大器，若 E-MOSFET 之參

26、數 ro = 45k，g m = 2mA/V，則此電路的電壓增益 為多少？ (A) 10 (B) 10 (C) 9 (D) 9ioV( B )111. 如圖 所示共源極放大器，若 N 通道 JFET 之參數 ro = ，g m = 6mA/V，以下何者正確？ (A) Ri = 2k (B) R o = 4k (C) Av = 24 (D) Av = 24( B )112. 如圖所示 ，若 JFET 之參數 ro = ，I D = 4mA，則此電路的電壓增益 Av 為多少？(A) 4 (B) 12 (C) 16 (D) 36( C )113. 承上題，輸出電阻 Ro=？ (A) 1k (B) k

27、 (C) 250 (D) 1.33k31( A )114. 共汲極放大電路，g m=3 及 RS=1k，其電壓增益 Av=？ (A) 0.75 (B) 0.75 (C) 3 (D) 3VA( D )115. 有關共汲極放大電路，下列敘述何者正確？ (A) 輸入電阻很小 (B) 輸出電阻很大 (C) 電壓增益大於 1 (D) 輸入與輸出同相( B )116. FET 放大電路中，何種放大組態的輸出電阻最小？ (A) 共源極組態 (B) 共汲極組態 (C) 共閘極組態 (D) 視輸入電阻而定( B )117. 如圖 所示 E-MOSFET 共汲極放大電路，若參數 gm = 1mA/V，以下何者正確

28、？ (A) Ri = 240k，R o = 3k (B) R i = 240k，R o = 750 (C) R i = 240k，R o = 667 (D) R i = 400k，R o = 667( D )118. 下列有關電壓緩衝放大器的敘述何者有誤？ (A) 必須有很高的輸入阻抗 (B) 輸出阻抗必須很小 (C) 常被用於測量儀器的輸入級 (D) FET 電路中，最常被用為電壓緩衝放大器的是共閘極組態( C )119. 共閘極放大電路，g m=3 、R D=4k及 RS=3k，其電壓增益 Av=？ (A) 9 (B) 36 (C) 12 (D) VA1.2( A )120. 承上題，輸入

29、電阻 Ri=？ (A) 300 (B) 333 (C) 3k (D) 4k( D )121. FET 放大電路中，下列哪一個組態的輸入阻抗很小？ (A) 共集極放大組態 (B) 共源極放大組態 (C) 共汲極放大組態 (D) 共閘極放大組態( D )122. 如圖 所示共閘極放大電路，若 MOSFET 之參數 gm = 5mA/V，試求電壓增益為多少？ (A) 5 (B) 5 (C) 10 (D) 10ioV( A )123. 有關共閘極放大電路，下列敘述何者最正確？ (A) 輸入電阻很小 (B) 輸出電阻很小 (C) 電壓增益必小於 1 (D) 輸入與輸出反相( B )124. FET 共閘

30、極放大組態，類似於 BJT 何種放大組態？ (A) 共集極放大組態 (B) 共基極放大組態 (C) 共射極放大組態 (D) 共源極放大組態( D )125. FET 的互導增益倒數 ，相當於 BJT 之何種參數？ (A) (B) VT (C) r (D) r emg( B )126. 多級放大電路中，以 FET 作為第一級放大的主要因素是應用 FET 何種特性？ (A) 高互導增益 (B) 高輸入阻抗 (C) 高輸出阻抗 (D) 高電流增益( D )127. 有關 FET 與 BJT 相較，下列何者錯誤？ (A) FET 之 ，BJT 之 (B) FETDQmIkg2TCQmVIg之源極等效電

31、阻為 、BJT 之射極等效電阻為 re (C) BJT 之 (D) 當 BJT 之 很小時，mg1 ermer( D )128. 以下何者不是 FET 比 BJT 好的特性？ (A) 具有高輸入電阻 (B) 具有負溫度特性 (C) 製程簡單且密度高 (D) 高操作頻率高( C )129. 下列有關理想運算放大器之等效電路模型特性，何者錯誤？ (A) Ri= (B) R o=0 (C) I i= (D) Av=( C )130. 下列何者不是運算放大器之主要電路？ (A) 差動放大電路 (B) 定電流源電路 (C) 定電壓源電路 (D) 高增益放大電路( C )131. 運算放大器是屬於何種耦合

32、方式之多級放大電路？ (A) RC 耦合 (B) 變壓器耦合 (C) 直接耦合 (D) 間接耦合( A )132. 理想運算放大器在兩輸入端信號相等時，其輸出電壓 Vo=？ (A) 0 (B) +V CC (C) VCC (D) ( B )133. 運算放大器的內部主要結構中的輸入級為？ (A) 射極隨耦器 (B) 差動放大器 (C) 達靈頓放大器 (D) 電壓隨耦器( D )134. 理想 OPA 作為放大器使用時，應外加何種電路？ (A) 穩壓電路 (B) 箝位電路 (C) 正回授電路 (D) 負回授電路( A )135. 若 OPA 的增益頻寬積為 2MHz，則在增益為 40dB 時，其

33、可操作頻寬為？ (A) 20kHz (B) 50kHz (C) 200Hz (D) 2MHz( C )136. 當一個脈波輸入至 OPA，其 Vo 在 0.75s 內由2V 升至7V，則其變動率等於？ (A) 6.75 (B) 9 (C) 12 (D) 20 V/s ( A )137. 有一運算放大器，偏壓電流 IB1 = 50A，I B2 = 49.2A，則其輸入抵補電流為？ (A) 800nA (B) 99.2A (C) 49.6A (D) 0( D )138. 下列何者不是理想運算放大器之特性？ (A) Avo = (B) R i = (C) BW = (D) I o = 0( B )1

34、39. 有一運算放大器，若 CMRR = 80dB，A d = 4500， Vi(+) = 0.5mV，V i() = 0.45mV，則 Vo ？(A) 200mV (B) 225mV (C) 250mV (D) 300mV( A )140. 若運算放大器之增益頻寬乘積 GBP=20MHz，以下何者不正確？ (A) f=400MHz 時，A vo=5103 (B) f=1kHz 時，A vo=2104 (C) f=50kHz 時，A vo=4102 (D) f=1MHz 時，A vo=20( D )141. 下列有關理想 OPA 之參數值，何者不為 0？ (A) Iib (B) I io (C

35、) V io (D) A vo( C )142. 運算放大器之增益頻寬乘積，在低頻時，無法保持定值的主要原因是？ (A) 輸入電阻不為無窮大 (B) 輸出電阻不為 0 (C) 開迴路增益不為無窮大 (D) 共模拒斥比不為無窮大( A )143. 何者為衡量運算放大器之抗雜訊能力指標值？ (A) CMRR 值 (B) GBP 值 (C) SR 值 (D) 開迴路增益值( C )144. 下列何者非電壓隨耦器之特性？ (A) 電壓增益為 1 (B) 輸出與輸入同相 (C) 反相端接地 (D) 沒有回授電阻( A )145. 圖 為理想運算放大器之電路，其電壓增益為？(A) 102 (B) 2 (C) 2.01 (D) 100( A )146. 圖 之反相放大器中，其電壓增益 Vo/Vs 為多少分貝？(A) 20dB (B) 10dB (C) 10dB (D) 20dB