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Mott–Schottky(莫特-肖特基)专题.docx

1、【专题】Mott-Schottky 测试及数据处理作者: jjfyj 收录日期: 2010-12-05 发布日期: 2010-11-28发现很多虫友对 Mott-schottky技术提问的很多,但基本上没有明确的答复。我对此技术了解得也很少,本质上来说,Mott-schottky 属于固体物理学的知识。由于本人才疏学浅,接触它也仅仅几天的时间,因此无法对 Mott-schottky曲线的分析以及更加高深的部分进行解答,万望谅解。今就如何在上海辰华 CHI660B电化学工作站测试 Mott-schottky曲线,以及如何进行数据处理,说一下自己的经验。不当之处祈盼大牛指正,大家共同学习提高。作者

2、:jjfyj1、Mott-schottky 测试测试技术采用 Impedance-Potential,如图所示:接着设置参数:我的理解是,Mott-schottky 属于固定频率测试阻抗随电位的变化关系。yaya2566虫友( http:/ 虫友( http:/ CV中扫速越小,曲线越精确一样,不知这样理解是否正确,留待大牛斧正。幅值,我觉得与 EIS是一样的,一般选择 5mV或 10mV,由于 Mott-schottky一般是来研究半导体型的钝化膜,10mV 为宜。频率的选择,我们可以选择不同的频率做一系列曲线,如果测试频率的增加使各曲线电容值减小, 表明电容对频率的依赖,Mott-scho

3、ttky 曲线随频率变化发生弥散现象(可参考张云莲,史美伦,陈志源的钢筋钝化膜半导体性能的 Mott_Schottky研究和孔德生,李亮的电容测量研究铬表面氧化膜的半导体性能)至于直流电偏移一项,CHI660B 给出的说明是:When dc current is high and ac current is low, the sensitivity can not be increased because dc current will overflow. This problem is more serious when the frequency is relatively low. By

4、 applying dc current bias, it allows higher ac signal amplification. A 16-bit DAC is used for this purpose. If dc current is not expected to be large and the frequency is high, one may not want to bias dc current.大家可以自行判断。最后一项是灵敏度,说明书给出的解释是 The sensitivity scale setting is automatic by default. Duri

5、ng the experiment, the system tests the current size and determines the proper sensitivity scale. It usually works well. The sensitivity scale setting can also be manually overridden. In certaincases, it may provide better results.因此我保留的是默认值。中间几项也采用默认数值。作者:jjfyj二、Mott-schottky 曲线的显示试验完成后,显示的图形为 LogZ

6、-E图,我们可以另起改为 Mott-schottky曲线形式显示。Graphics-Graph option在 Data下拉菜单中可以看到有两个 Mott-schottky曲线可供选择区别在于电容的不同,一个 Cs一个是 Cp。下标 s为 series串联;p 为 parallel并联jruij 虫友(http:/ 1502)的解释我认为是合理的。作者:jjfyj三、数据处理ldy1985虫友(urlhttp:/ llaa虫友( http:/ 之后的 txt文本打开来,依然只有potential,Zr,Zi,Z 和 phase数据,并没有 C的出现。只能在 graph/url option中转

7、换看到。其实,这就需要进行简单的计算了,当然不必用手工计算,我们可以在 origin里自拟公式加以解决。1、首先,将 convert好的 txt打开删除 header信息:2、在 Origin中导入数据选取 import single ascii3、删除数据以上的各行假如忽略此步骤,再添加新列进行计算时,会提示 1600错误4、新增两列,分别是 C和 1/C2C列 set volume values公式为:1/C2列计算公式为: Last edited by jjfyj on 2010-12-5 at 09:17 作者:jjfyj5、作图以 E为 X轴,1/C2 为 Y轴作图即得到 Mott-schottky曲线:作者:jjfyj四、判断半导体类型在 Mott-schottky曲线中找到直线部分,可以进行分析Mott-schottky直线的斜率小于零,说明表面氧化膜具有 p 型半导体特性,否则为 n型当然,通过直线部分测出斜率数值外,还可以外推其截距,都可以带入 Mott-schottky公式中进行进一步的处理,此处不再赘述。

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