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.关于HV CMOS和DMOS的困惑alchemist 发表于: 2009-5-19 23:03 来源:半导体技术天地一直很困惑：一般foundry对于高压器件有两条路线，1）HV CMOS工艺，一般用Double Diffusion，一般能到30V，再高就不行了；2）BCD工艺，高压一般用DMOS，一般20V、40V，更高电压也有。所谓存在的就是合理的，这两种技术能同时并存并且齐头并进的发展，肯定有它们各自的优势和适合的应用，有没有高手能解释比较一下！我的理解（猜的）：1）HVCMOS采用的是对称的结构（当然也可以有非对称管），Vgs和Vds基本相当，电路设计不受限制，应用上灵活，管子特性比较好，IV curve的形状和低压的MOS管没太大的差别；但需要额外增加较多的mask和工艺环节，同时最高电压有上限，32V顶天了。2）DMOS采用非对称结构，Vgs远小于Vds，电路设计受限制，管子特性应该没有HVMOS的好；电压可以很高，Vds 60V、100V都不成问题，增加的mask应该比HVCMOS工艺的少。不知道猜得对不对，请明白人澄清
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