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.采用IGCT电压型逆变器的高压变频器仿真研究IGCT 高压变频器 Pspice建模与仿真1引言 大功率电力电子器件89及大规模集成电路技术的发展, 使得采用高高直接变换方式实现高压(6 kV，10 kV)变频调速装置成为可能。与高低高变换方式的高压变频器相比， 高高变频器具有体积小、重量轻、效率高、性能价格比高等优点，因而得到越来越多的应用。国内也有多家公司推出了采用基于IGBT器件的单元串联单相桥式主电路结构的高压变频器产品，这种主电路结构由于IGBT器件数量多、信号调制复杂而使得整体可靠性较差，驱动能力低，其输出功率也因IGBT单管容量有限而受到限制。而IGCT（Integrated Gate Commutated Thyristor）是90年代在晶闸管技术的基础上，结合IGBT5和GTO等成熟技术开发的新型器件。因此，它比IGBT更适合于高电压、大容量方面的使用。同时IGCT在GTO的基础上进行了重新优化设计，因而与GTO相比更具有开关状态损耗低、门极控制简单、关断速度快、主回路接线简单等优点。目前使用的IGCT元件最高耐
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