温馨提示：由于个人手机设置不同，如果发现不能下载，请复制以下地址【https://www.wenke99.com/d-5286626.html】到电脑端继续下载（重复下载不扣费）。
1: 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。 2: 试题试卷类文档，如果标题没有明确说明有答案则都视为没有答案，请知晓。 3: 文件的所有权益归上传用户所有。 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。 5. 本站仅提供交流平台，并不能对任何下载内容负责。 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。
本文（半导体工艺整理.doc）为本站会员（小陈）主动上传，文客久久仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对上载内容本身不做任何修改或编辑。 若此文所含内容侵犯了您的版权或隐私，请立即通知文客久久（发送邮件至hr@wenke99.com或直接QQ联系客服），我们立即给予删除！
.三热分解淀积氧化热分解氧化薄膜工艺是利用含硅的化合物经过热分解反应，在硅片表面淀积一层二氧化硅薄膜的方法。这种方法的优点是：基片本身不参与形成氧化膜的反应，而仅仅作为淀积二氧化硅氧化膜的衬底。衬底可以是硅也可以不是硅而是其它材料片。如果是硅片，获得二氧化硅膜也不消耗原来衬底硅，而保持硅片厚度不变，这是与热氧化法最根本的区别。因为这种方法可以在较低的温度下应用，所以被称作“低温淀积”。常用的热分解淀积氧化膜反应源物质（硅化合物）有正硅酸乙脂和硅烷两种。现分别介绍如下：1正硅酸乙脂热分解淀积淀积源的温度控制在20 oC左右，反应在真空状态下进行，真空度必须在10-2133.3Pa以上，淀积时间根据膜厚决定。淀积得到的二氧化硅氧化膜不如热生长的致密。但如果在真空淀积之后经过适当的增密处理可使其质量有所改善；方法是硅片在反应炉内加热升温到850900 oC半小时左右，之后再在干燥的氮、氩或氧气氛中继续加热一段时间即可。2硅烷热分解淀积反应方程式： SiH4 + 2O2 SiO2+ 2H2O （300400 oC）以上两种热分解淀
Copyright © 2018-2021 Wenke99.com All rights reserved
工信部备案号：浙ICP备20026746号-2
公安局备案号：浙公网安备33038302330469号
本站为C2C交文档易平台，即用户上传的文档直接卖给下载用户，本站只是网络服务中间平台，所有原创文档下载所得归上传人所有，若您发现上传作品侵犯了您的权利，请立刻联系网站客服并提供证据，平台将在3个工作日内予以改正。
