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MOSFET功率损耗的计算11页.doc

MOSFET功率损耗的计算摘 要:本文介绍了电动自行车无刷电机控制器的热设计。其中包括控制器工作原理的介绍、MOSFET功率损耗的计算、热模型的分析、稳态温升的计算、导热材料的选择、热仿真等。关键词:电动自行车 控制器 MOSFET热设计1. 引言由于功率MOSFET具有驱动电流小、开关速度快等优点,已经被广泛地应用在电动车的控制器里。但是如果设计和使用不当,会经常损坏MOSFET,而且一旦损坏后MOSFET的漏源极短路,晶圆通常会被烧得很严重,大部分用户无法准确分析造成MOSFET损坏的原因。所以在设计阶段,有关MOSFET的可靠性设计是致关重要的。MOSFET通常的损坏模式包括:过流、过压、雪崩击穿、超出安全工作区等。但这些原因导致的损坏最终都是因为晶圆温度过高而损坏,所以在设计控制器时,热设计是非常重要的。MOSFET的结点温度必须经过计算,确保在使用过程中MOSFET结点温度不会超过其最大允许值。2. 无刷电机控制器简介由于无刷电机具有高扭矩、长寿命、低噪声等优点,已在各领域中得到了广泛应用,其工作原理也已被大家广为熟知,这里不再详述。国内电动车电机控

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