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第一章 半导体中的电子状态1.1 锗和硅的晶体结构特征金刚石结构的基本特征1.2 半导体中的电子状态和能带电子共有化运动概念绝缘体、半导体和导体的能带特征。几种常用半导体的禁带宽度；本征激发的概念1.3 半导体中电子的运动 有效质量导带底和价带顶附近的E(k)k关系；半导体中电子的平均速度；有效质量的公式：。1.4本征半导体的导电机构 空穴空穴的特征：带正电；1.5 回旋共振1.6 硅和锗的能带结构导带底的位置、个数；重空穴带、轻空穴第二章 半导体中杂质和缺陷能级2.1 硅、锗晶体中的杂质能级基本概念：施主杂质，受主杂质，杂质的电离能，杂质的补偿作用。2.2 族化合物中的杂质能级杂质的双性行为第三章 半导体中载流子的统计分布热平衡载流子概念3.1状态密度定义式：；导带底附近的状态密度：；价带顶附近的状态密度：3.2 费米能级和载流子的浓度统计分布Fermi分布函数：；Fermi
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