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1、 选择1. 与半导体相比较，绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量（比半导体的大）；2. 室温下，半导体Si掺硼的浓度为1014cm-3，同时掺有浓度为1.11015cm-3的磷，则电子浓度约为（1015cm-3 ），空穴浓度为（2.25105cm-3），费米能级为（高于Ei）；将该半导体由室温度升至570K，则多子浓度约为（21017cm-3），少子浓度为（21017cm-3），费米能级为（等于Ei）。3. 施主杂质电离后向半导体提供（电子），受主杂质电离后向半导体提供（空穴），本征激发后向半导体提供（空穴、电子）；4. 对于一定的n型半导体材料，温度一定时，减少掺杂浓度，将导致（EF ）靠近Ei；5. 表面态中性能级位于费米能级以上时，该表面态为（施主态）；6. 当施主能级ED与费米能级EF相等时，电离施主的浓度为施主浓度的（1/3）倍；重空穴是指（价带顶附近曲率较小的等能面上的空穴）7. 硅的晶格结构和能带结构分别是（金刚石型和间接禁带型）8. 电子在晶体中的共有化运动指的是电子在晶体（各元胞对应点出现的几率相同）。9. 本征半导
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