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复习大纲1-4章：1、 双极集成电路工艺的隔离方法；2、 隐埋层杂质的选择原则；3、 外延层厚度包括哪几个部分，公式里的四项分别指什么？4、 双极集成电路工艺中的七次光刻和四次扩散分别指什么？5、 双极集成电路工艺中的双极晶体管的四层三结结构6、 集成和分立的双极型晶体管结构上有何区别？7、 基区扩散电阻的修正方式； 8、 扩散电阻最小条宽的确定原则；基区扩散电阻最小宽度受限的因素及其最小宽度？9、 Al的方块电阻是0.05/，多晶硅的方块电阻是30/。线宽是8m，长度是10m，试计算上述两种材料构成的电阻阻值10、 SBD与普通二极管的相比，有哪些特点？11、 集成电阻器和电容器的优缺点；12、 集成NPN晶体管中的寄生电容 13、 横向PNP管的特点；14、 横向PNP管的直流电流放大倍数小的原因；P31-3415、 减小NPN晶体管中的集电极串联电阻rCS的方法；16、 衬底PNP的特点；17、 集成二极管中最常用的是哪两种，具体什么特点？18、 SCT的工作特点？19、 MOS集成电路工
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