模拟集成电路设计原理期末考试 一填空题（每空1分，共14分）1、与其它类型的晶体管相比，MOS器件的尺寸很容易按_比例_缩小，CMOS电路被证明具有_较低_的制造成本。2、 放大应用时，通常使MOS管工作在_ 饱和_区，电流受栅源过驱动电压控制，我们定义_跨导_来表示电压转换电流的能力。3、为沟长调制效应系数，对于较长的沟道，值_较小_（较大、较小）。4、源跟随器主要应用是起到_电压缓冲器_的作用。5、共源共栅放大器结构的一个重要特性就是_输出阻抗_很高，因此可以做成_恒定电流源_。6、由于_尾电流源输出阻抗为有限值_或_电路不完全对称_等因素，共模输入电平的变化会引起差动输出的改变。7、理想情况下，_电流镜_结构可以精确地复制电流而不受工艺和温度的影响，实际应用中，为了抑制沟长调制效应带来的误差，可以进一步将其改进为_共源共栅电流镜_结构。8、为方便求解，在一定条件下可用_极点结点关联_法估算系统的极点频率。9、与差动对结合使用的有源电流镜结构如下图所示，电路的输入电容Cin为_ C
