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实验 温度、光对半导体导电特性的影响一实验目的与意义无论是半导体单晶材料、PN结、还是器件，其电学特性（如：电阻率、I-V曲线、载流子迁移率）均受温度、光（辐射）影响，因此，从原理上讲，半导体产品的应用受环境温度、辐射限制大。所以在设计、使用半导体产品时必须考虑环境因素。通过本实验的学习，加深学生对半导体导电性理论的理解，培养学生自行设计实验方法，实际动手操作，观察现象，进行理论分析的能力。二实验原理1.电阻率的测量：设样品电阻率均匀，样品几何尺寸相对于探针间的距离可看成半无穷大。引入点电流源的探针其电流强度为I，则所产生的电力线有球面对称性，即等位面是以点电流源为中心的半球面，如图1-1所示。在以r为半径的半球上，电流密度j的分布是均匀的。Ir图1-1 探针与被测样品接触点的电流分布 （1-1）若E为r处的电场强度，则 (1-2)取r为无穷远处的电位为零，并利用 ，则有： （1-3） （1-4）式（1-2）就是半无穷大均匀样品
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