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2、举例说明晶体缺陷主要类型。晶体缺陷主要包含有以下四种，分别为：点缺陷、线缺陷、面缺陷和体缺陷点缺陷：弗伦克尔缺陷、肖特基缺陷线缺陷：位错(棱位错、刃位错、螺旋位错)面缺陷：层错（外延层错、热氧化层错）4、简述光生伏特效应。1）用能量等于或大于禁带宽度的光子照射p-n结；2）p、n区都产生电子空穴对，产生非平衡载流子；3）非平衡载流子破坏原来的热平衡；4）非平衡载流子在内建电场作用下，n区空穴向p区扩散，p区电子向n区扩散；5）若p-n结开路，在结的两边积累电子空穴对,产生开路电压。5、简述硅太阳能电池工作原理。当拥有等于或者大于硅材料禁带宽度的光子照射到硅材料上，在价带上的电子吸收这个光子的能量，跃迁到导帶上，并且在价带上留下一个空穴。即是在禁带两端产生了电子空穴对。而硅电池本身即为一个PN结，产生的电子空穴对即是注入的非平衡载流子，在内建电场的作用下，非平衡载流子分离，产生电流并在在整个硅电池两端形成电压。6、如何从石英砂制取硅？简要框图说明从石英到单晶硅的工艺。工业硅制备原理：多晶硅生产工艺：法
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