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离子注入实验报告1 离子注入简介离子注入是一种将离子在电场里加速，并嵌入到另一固体的材料科学。这个过程用于改变该固体的物理、化学或电子性质。离子注入用在半导体器件制造和某些材料科学研究。离子注入可以导致核转变，又或改变其晶体结构。离子注入技术是20 世纪60 年代开始发展起来的一种在很多方面都优于扩散方法的掺杂工艺。离子注入是一种将带电的且具有能量的粒子注入衬底硅的过程。在集成电路制造中，多道掺杂工艺均采用离子注入技术，特别是集成电路制造中的隔离工序中防止寄生沟道用的沟道截断、调整阈值电压用的沟道掺杂、CMOS阱的形成以及源漏区域的形成等主要工序都采用离子注入法进行掺杂。目前离子注入技术已经成为甚大规模集成电路制造中主要的掺杂工艺。2 离子注入原理2.1 离子注入的基本原理其基本原理是：用能量为100keV量级的离子束入射到材料中去，离子束与材料中的原子或分子将发生一系列物理的和化学的相互作用，入射离子逐渐损失能量，最后停留在材料中，并引起材料表面成分、结构和性能发生
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