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半导体器件物理4章半导体中的载流子输运现象(共18页).doc

精选优质文档-倾情为你奉上第四章 半导体中载流子的输运现象在前几章我们研究了热平衡状态下,半导体导带和价带中的电子浓度和空穴浓度。我们知道电子和空穴的净流动将会产生电流,载流子的运动过程称谓输运。半导体中的载流子存在两种基本的输运现象:一种是载流子的漂移,另一种是载流子的扩散。由电场引起的载流子运动称谓载流子的漂移运动;由载流子浓度梯度引起的运动称谓载流子扩散运动。其后我们会将会看到,漂移运动是由多数载流子(简称多子)参与的运动;扩散运动是有少数载流子(简称少子)参与的运动。载流子的漂移运动和扩散运动都会在半导体内形成电流。此外,温度梯度也会引起载流子的运动,但由于温度梯度小或半导体的特征尺寸变得越来越小,这一效应通常可以忽略。载流子运动形成电流的机制最终会决定半导体器件的电流电压特性。因此,研究半导体中载流子的输运现象非常必要。4.1漂移电流密度 如果导带和价带都有未被电子填满的能量状态,那么在外加电场的作用下,电子和空穴将产生净加速度和净移位。电场力的作用下使载流子产生的运动称为“漂移运动”。载流子电荷的净漂移会产生“漂移电流”。如果电荷密度为的

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