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精选优质文档-倾情为你奉上金属-半导体接触1.金属与半导体接触概论以集成电路（IC）技术为代表的半导体技术在近十几年来已经取得了迅速发展，带来的是一次又一次的信息科技进步，没有哪一种技术能像它一样，带来社会性的深刻变革。半导体技术的实现依赖于半导体的生产与应用，而在半导体的应用过程中，必然会涉及到半导体与金属电极的接触。大规模集成电路中的铝-硅接触就是典型的实例。金属与半导体接触大致可以分为两类1：一种是具有整流特性的肖特基接触（也叫整流接触），另一种是类似普通电阻的欧姆接触。金属与半导体接触特性与两种材料的功函数有关。所谓功函数，也称之为逸出功，是指材料的费米能级与真空能级之差，即W=E0-EF（E0为真空能级，EF为费米能级）。它是表征固体材料对电子的约束能力的物理量。然而，由于金属与半导体的费米能级有所差别，所以其功函数也不相同。就金属来而言，其费米能级EFM代表电子填充的最高能级水平，所以金属的功函数WM 即为金属向真空发射一个电子所需要的最低能量（如图1.1.1）；但对半导体的功函数WS而言，其功函数是杂质浓度的函数，而不像金属那样为一常数，其
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