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精选优质文档-倾情为你奉上射频半导体工艺介绍虽然过去几年了，但是感觉到目前的射频半导体工艺还是这几种，只不过工艺更加进步了，所以以下的文章还是适合的。1. GaAs半导体材料可以分为元素半导体和化合物半导体两大类，元素半导体指硅、锗单一元素形成的半导体，化合物指砷化镓、磷化铟等化合物形成的半导体。砷化镓的电子迁移速率比硅高5.7 倍，非常适合用于高频电路。砷化镓组件在高频、高功率、高效率、低噪声指数的电气特性均远超过硅组件，空乏型砷化镓场效应晶体管(MESFET)或高电子迁移率晶体管(HEMT/PHEMT)，在3 V 电压操作下可以有80%的功率附加效率(PAE: Power Added Efficiency)，非常适用于高层(high tier)的无线通讯中长距离、长通信时间的需求。砷化镓元件因电子迁移率比硅高很多，因此采用特殊的工艺，早期为MESFE金属半导体场效应晶体管，后演变为HEMT ( 高速电子迁移率晶体管)，pHEMT( 介面应变式高电子迁移电晶体)目前则为HBT ( 异质结双极晶体管)。异质双极晶体管(HBT)是无需负电源的砷化镓组件，其功率密度
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