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精选优质文档-倾情为你奉上硅集成电路工艺基础绪论:单项工艺的分类:1、 图形转换:光刻、刻蚀2、 掺杂:扩散、离子注入3、 制膜:氧化、化学气相淀积、物理气相淀积第2章 氧化SiO2的作用:1、在MOS电路中作为MOS器件的绝缘栅介质,作为器件的组成部分2、作为集成电路的隔离介质材料3、作为电容器的绝缘介质材料4、作为多层金属互连层之间的介质材料5、作为对器件和电路进行钝化的钝化层材料6、扩散时的掩蔽层,离子注入的(有时与光刻胶、Si3N4层一起使用)阻挡层热氧化方法制备的SiO2是无定形制备二氧化硅的方法:热分解淀积法、溅射法、真空蒸发法、阳极氧化法、化学气相淀积法、热氧化法;热氧化法制备的SiO2具有很高的重复性和化学稳定性,其物理性质和化学性质不太受湿度和中等热处理温度的影响。SiO2的主要性质:密度:表征致密程度折射率:表征光学性质 密度较大的SiO2具有较大的折射率 波长为5500A左右时, SiO2的折射率约为1.46电阻率:与制备方法及所含杂
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