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化学机械抛光工艺(CMP)全解(共11页).doc

精选优质文档-倾情为你奉上化学机械抛光液(CMP)氧化铝抛光液具体添加剂摘要:本文首先定义并介绍CMP工艺的基本工作原理,然后,通过介绍CMP系统,从工艺设备角度定性分析了解CMP的工作过程,通过介绍分析CMP工艺参数,对CMP作定量了解。在文献精度中,介绍了一个SiO2的CMP平均磨除速率模型,其中考虑了磨粒尺寸,浓度,分布,研磨液流速,抛光势地形,材料性能。经过实验,得到的实验结果与模型比较吻合。MRR模型可用于CMP模拟,CMP过程参数最佳化以及下一代CMP设备的研发。最后,通过对VLSI制造技术的课程回顾,归纳了课程收获,总结了课程感悟。关键词: CMP、研磨液、平均磨除速率、设备Abstract:This article first defined and introduces the basic working principle of the CMP process, and then, by introducing the CMP system, from the perspective of process equipment qual

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