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精选优质文档-倾情为你奉上CMP抛光垫化学机械抛光（CMP），目前已成为公认的纳米级全局平坦化精密超精密加工技术。CMP技术将磨粒的机械研磨作用与氧化剂的化学作用有机地结合起来，可实现超精密无损伤表面加工，满足集成电路特征尺寸在0.35m以下的全局平坦化要求。图1 晶圆制造过程CMP技术所采用的设备及消耗品包括：抛光机、抛光浆料、抛光垫、后CMP清洗设备、抛光终点检测及工艺控制设备、废物处理和检测设备等。抛光机、抛光浆料和抛光垫是CMP工艺的3大关键要素，其性能和相互匹配决定CMP能达到的表面平整水平。其中抛光浆料和抛光垫为消耗品。通常一个抛光垫使用寿命约仅为45至75小时。图2 CMP工作系统CMP抛光垫，又称CMP研磨垫，英文名为CMP Pad，主要用于半导体和蓝宝石等方面。CMP抛光垫由含有填充材料的聚氨酯材料组成，用来控制毛垫的硬度。抛光垫的表面微凸起直接与晶片接触产生摩擦，以机械方式去除抛光层在离心力的作用下，将抛光液均匀地抛洒到抛光垫的表面，以化学方式去除抛光层，并将反应产物带出抛光垫。抛光垫的性质直接影响晶片的表面质
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