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精选优质文档-倾情为你奉上MOS管二级效应研究MOS管的二级效应主要有三种：背栅效应、沟道长度调制效应、亚阈值效应。一.背栅效应： 在很多情况下，源极和衬底的电位并不相同。对NMOS管而言，衬底通常接电路的最低电位，有VBS0；对PMOS管而言，衬底通常接电路的最高电位，有VBS0。这时，MOS管的阈值电压将随其源极和衬底之间电位的不同而发生变化。这一效应称为“背栅效应”。以NMOS管为例，当NMOS管VBS0时，阈值电压的变化规律。随着VGS上升，栅极吸引衬底内部的电子向衬底表面运动，并在衬底表面产生了耗尽层。当VGS上升到一定的电压阈值电压时，栅极下的衬底表面发生反型，NMOS管在源漏之间开始导电。阈值电压的大小和耗尽层的电荷量有关，耗尽层的电荷量越多，NMOS管的开启就越困难，阈值电压也就是开启NMOS需要的电压就越高。当VBS0时，栅极和衬底之间的电位差加大，耗尽层的厚度也变大，耗尽层内的电荷量增加，所以造成阈值电压变大。随着VBS变小，阈值电压上升，在VGS和VDS不变的情况下，漏极电流变小。因而衬底和栅极的作用类
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