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精选优质文档-倾情为你奉上SiC晶体生长工艺装备一、SiC晶体生长工艺装备发展现状由于SiC具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和浓度、化学性能稳定、高硬度、抗磨损等特点，使得它在军用和航天领域的高温、高频、大功率光电器件方面具有优越的应用价值。具体来看，其导热性能是Si材料的3倍以上；在相同反压下，材料的击穿电场强度比Si高10倍，而内阻仅是Si片的百分之一。器件的工作温度可以达到600，而一般的Si器件最多能坚持到150。因为这些特性，可以用来制造各种耐高温的高频大功率器件，应用于Si器件难以胜任的场合。目前SIC半导体材料发展十分迅速，总的发展趋势是晶体大直径、大尺寸化，向高纯无缺陷发展。6H和4H单晶片实现了商品化，3英寸（直径76.2mm）是主流产品，4英寸也有少量供应。4H-SiC上的微管缺陷密度显著减小，n型4H-SiC的极低微管缺陷晶片上微管密度可接近0cm-2。SiC材料的生长需要特殊的工艺装备。目前这些工艺装备的技术主要掌握在美日欧三方手中。这些发达国家和地区已对SiC 生长设备进行了持续的研究，积累了宝贵的经验。特别是
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