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精选优质文档-倾情为你奉上实验二 NMOS工艺流程模拟及电学参数提取模拟实验一、实验目的1. 熟悉Silvaco TCAD的仿真模拟环境；2. 掌握基本的nmos工艺流程，以及如何在TCAD环境下进行nmos工艺流程模拟；3. 掌握器件参数提前方法，以及不同工艺组合对nmos晶体管的阈值电压、薄层电阻等电学参数的影响；二、实验要求 仔细阅读实验内容，独立编写程序，掌握基本的TCAD使用； 熟悉nmos晶体管的基本工艺流程，和关键工艺参数； 记录Tonyplot的仿真结果，并进行相关分析。三、实验内容1. nmos晶体管整体工艺模拟设计nmos晶体管工艺流程模拟程序，运行得到相应的器件模型(参考教程p57p60页程序)NMOS晶体管的基本工艺流程：a.衬底硅氧化：在衬底表面产生一层相对较厚的SiO2有选择地刻蚀氧化区，暴露出将来用来生成MOS晶体管的硅表面；b.用一高质量的氧化物薄膜覆盖在Si表面，这层氧化物最终将形成MOS晶体管的栅极氧化物；c.在薄氧化层顶部淀积一层多晶硅。多晶硅可以用
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