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晶体硅太阳能电池生产线刻蚀工序介绍(共7页).doc

精选优质文档-倾情为你奉上晶体硅太阳能电池生产线刻蚀工序介绍一、刻蚀工序基本作用目前常规太阳电池的生产流程如下:刻蚀作为太阳电池生产中的第三道工序,其主要作用是去除扩散后硅片四周的N型硅,防止漏电。刻蚀一般情况下和去PSG联系在一起,去PSG顾名思义,其作用是去掉扩散前的磷硅玻璃。反应方程式如下:SiO2+6HF=H2SiF6+2H2O具体的刻蚀示意图如下:二、刻蚀的基本分类以及一般工艺流程目前,晶体硅太阳电池一般采用干法和湿法两种刻蚀方法。下面我们分开介绍两种刻蚀方法的差别:1)干法刻蚀干法刻蚀夜叫等离子刻蚀。即采用等离子体轰击的方法进行的刻蚀。随着温度的升高,一般物质依次表现为固体、液体和气体。它们统称为物质的三态。如果温度升高到10e4K甚至10e5K,分子间和原子间的运动十分剧烈,彼此间已难以束缚,原子中的电子因具有相当大的动能而摆脱原子核对它的束缚,成为自由电子,原子失去电子变成带正电的离子。这样,物质就变成了一团由电子和带正电的的离子组成的混合物 。这种混合物叫等离子体。它可以称为物质的第四态。等离子

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