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精选优质文档-倾情为你奉上杂散电感对IGBT开关过程的影响1简介T的开关损耗特性研究对设计具有重要的意义，在有结构紧凑性要求或可靠性要求较高或散热条件特殊的场合，都需要严格按器件损耗特性进行大余量热设计以保证IGBT及的温升在长期可靠性运行所允许的范围之内。是主流中大容量/中高速器件，开关损耗特性研究得到一贯重视。作为典型MOS门极压控器件，其开关损耗主要决定于开关工作电压、电流、温度以及门极驱动情况等因素，系统的结构如主回路会影响IGBT的开关特性，进而影响开关损耗，任何对其开关性能的研究都必然建立在实验测试基础之上，并在实际设计中尽量优化以降低变流回路。(a) 测试电路原理图(b) 测试波形原理图图1 功率开关开关性能测试平台原理图1是典型的IGBT 开关特性测试平台工作原理，其基本形式是用IGBT、二极管、电感、直流电源组成斩波器，模拟各种开关工作状态，用于测试，电路如图1(a)。其中DUT 是被测试的带反并联二极管IGBT（Device Under Test），与完全相同的IGBT 组成一个桥臂，再串联以同轴电流传感器（Coaxial
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